[发明专利]一种提高全固态电储能器件充电效率的方法

权利要求书

1.一种提高全固态电储能器件充电效率的方法，其特征在于其方法是在器件的电极层和电荷存储层之间引入电荷充电缓冲层，使器件形成正电极/正电荷充缓冲层/正电荷存储层/绝缘层/电子存储层/电子充电缓冲层/负电极的结构，其中，电荷充电缓冲层由缓冲材料单独成膜或者缓冲材料与电荷存储材料复合成膜，其中，缓冲材料和电荷存储材料复合的摩尔比为20∶80～80∶20。

2.根据权利要求1所述的一种提高全固态电储能器件充电效率的方法，所述的电荷充电缓冲层的加工方法，为磁控溅射法，真空蒸镀法，化学气相沉积(CVD)，原子层沉积(ALD)，等离子体增强化学气相沉积(PECVD)，电子束真空沉积，离子束真空沉积，溶液旋涂法等中的一种。

3.根据权利要求1所述的一种提高全固态电储能器件充电效率的方法，所述的电荷充电缓冲层的厚度为5nm～100nm。

4.根据权利要求1所述的一种提高全固态电储能器件充电效率的方法，所述的缓冲材料分为正电荷缓冲材料和电子缓冲材料。

5.根据权利要求1或4所述的一种提高全固态电储能器件充电效率的方法，所述的正电荷缓冲材料为联苯胺类或酞菁铜(CuPc)及其衍生物或聚3，4-乙撑二氧噻吩(PEDOT)聚苯乙烯磺酸盐(PSS)的混合物或金属氧化物类中的一种或几种的混合物。

6.根据权利要求1或4所述的一种提高全固态电储能器件充电效率的方法，所述的电子缓冲材料为金属化合物或者芴的共聚物及其聚电解质衍生物或者噁二唑类有机分子或者喹啉环金属配合物中的一种或几种的混合物。

7.根据权利要求5所述的一种提高全固态电储能器件充电效率的方法，所述的联苯胺类正电荷缓冲材料为N，N′-二(萘-1-基)-N，N′-二苯胺-联苯胺；N，N′-二苯基-N，N′-双(3-甲基苯基)-1，1-二苯基-4，4′-二胺；4，4′，4″-三[N-(3-甲基)-N-苯胺基]三苯胺；4，4′，4″-三偶(3-甲基苯基苯胺)三苯胺；六噻吩；4，4′，4″-[N-2-萘基-N-苯胺基]-三苯胺；4，4′，4″-三-(N-1-萘基-N-苯胺基)-三苯胺；4，4′，4″-三(咔唑-9-基)-三苯胺；N，N，N，N-四(4-甲氧基苯基)-联苯胺等中的一种或几种的混合物。

8.根据权利要求5所述的一种提高全固态电储能器件充电效率的方法，所述的酞菁铜(CuPc)及其衍生物正电荷缓冲材料为磺化酞菁铜、酞酰亚胺甲基酞菁铜、氯甲基化酞菁铜、硝基化酞菁铜、氟代酞菁铜和氨基化酞菁铜等中的一种或几种的混合物。

9.根据权利要求5所述的一种提高全固态电储能器件充电效率的方法，所述的金属氧化物类正电荷缓冲材料为Al₂O₃，SiO₂，CuO，Pr₂O₃，NiO，Ta₂O₅，TiO₂，WO₃，MoO₃，TiO₂，Nb₂O₅等中的一种或几种的混合物。

10.根据权利要求6所述的一种提高全固态电储能器件充电效率的方法，所述的金属化合物类电子缓冲材料为碱金属，碱土金属，镧系金属化学物以及它们的混合物，如锂、钠、钾、铷、镁、钙、钡、钕等的氧化物、碳酸化物、卤素化物、硝酸化物、硫酸化物等中的一种或几种的混合物。

11.根据权利要求6所述的一种提高全固态电储能器件充电效率的方法，所述的芴的共聚物及其聚电解质衍生物类电子缓冲材料为膦酸酯聚芴、胺基聚芴、三硝基芴酮等中的一种或几种的混合物。

12.根据权利要求6所述的一种提高全固态电储能器件充电效率的方法，所述的噁二唑类有机分子电子缓冲材料为1-(4-二苯基)-5-(4-叔丁基苯)-1，3，4-噁二唑(PBD)；2，5-双(4-萘基)-1，3，4-噁二唑(BND)；2，5-二芳基-1，3，4-噁二唑等中的一种或几种的混合物。

13.根据权利要求6所述的一种提高全固态电储能器件充电效率的方法，所述的喹啉环金属配合物电子缓冲材料为喹啉锂、喹啉铜、喹啉锌、喹啉铟、三(8-羟基喹啉铝)、四(8-羟基喹啉硼锂)等中的一种或几种的混合物。