[发明专利]一种全集成SBC超导量子干涉器件

权利要求书

1.一种全集成SBC超导量子干涉器件，所述的器件由两个并联支路构成，其特征在于组成SBC超导量子干涉器件的SQUID部件、电感L1、电感L2和与电感L2串联的电阻采用全部集成在一起的平面薄膜型结构，核心的SQUID部件设计为多环结构SQUID，多环结构SQUID的超导环由多个超导环并联而构成。

2.按权利要求1所述的器件，其特征在于所述的并联超导环的电感值是单个环电感数值除以并联超导环的数目。

3.按权利要求1所述的器件，其特征在于多环结构的SQUID中超导薄膜是窄条形状，以降低磁通效应的影响。

4.按权利要求1所述的器件，其特征在于SQUID超导环电感介于几十皮亨至几百皮亨之间。

5.按权利要求1所述的器件，其特征在于所述的器件具有两个并联支路SQUID部件和电感L1串联构成SBC器件的一个支路，并且SQUID部件和电感L1之间存在磁通耦合关系，互感M1；电感L2和电阻R串联构成SBC器件的另一个支路，电感L2和SQUID部件之间存在磁通耦合，互感M2；这些部件之间的相互关系限定了SBC器件各部分的位置关系。

6.按权利要求1或5所述的器件，其特征在于所述的电感为平面薄膜电感，它是由金属薄膜线条构成，L1一端与多环结构SQUID部件的Bias2端连接，电感L1的数值由不同引出点进行调节。L2一端与Bias1端连接，其数值由不同引出点进行调节。

7.按权利要求6所述的器件，其特征在于电感L1和电感L2的数值随不同尺寸多环结构SQUID部件而变化。

8.按权利要求1或5所述的器件，其特征在于SBC器件中与电感L2串联的电阻R由低温下不具超导导电性的金属膜构成，形成不同的电阻数值。

9.按权利要求1-5或7中任一项所述的器件，其特征在于所述的全集成SBC SQUID器件在使用时还需两个附属结构，一是反馈线圈，对SQUID器件施加反馈信号，另一个是端点电阻，在低温环境下对器件加热。