[发明专利]应用于高压DC-DC转换器内部的稳压电源电路

权利要求书

1.一种应用于高压DC-DC转换器内部的稳压电源电路，包括用于产生零温度系数基准电压V_BG和偏置电压V_BIAS的带隙基准电路（1），其特征在于：还包括软起及偏置电路（2），复合差分线性稳压器（3）和电源分组隔离电路（4）；

所述软起及偏置电路（2），用于为内部稳压电源提供偏置电流I_BIAS和软起电压V_SOFT，并连接到复合差分线性稳压器（3）；

所述复合差分线性稳压器（3），用于完成软起及偏置电路（2）输入的软起电压V_SOFT与带隙基准电路（1）输入的基准电压V_BG两者之间的切换，并输出电压信号VCC和偏置电流信号I_S2到电源分组隔离电路（4）；

所述电源分组隔离电路（4），将复合差分线性稳压器（3）输入的电压信号VCC转换为四组相互隔离、互不干扰的内部电源VCCA、VCCD、VCCP和VCCB，分别为高压DC-DC转换器内部的模拟模块、数字模块、功率模块和自举电容供电。

2.根据权利要求1所述的稳压电源电路，其特征在于软起及偏置电路（2），包括5个源、漏极之间耐压值大于12V的高压PMOS管M9~M13，8个源、漏极之间耐压值小于5V的低压PMOS管M1~M8，3个源、漏极之间耐压值大于12V的高压NMOS管M14~M16，4个源、漏极之间耐压值小于5V的低压NMOS管M17~M20和电阻R1；

所述低压PMOS管M6~M8，其栅极分别与自身漏极相连构成二极管结构，并串联跨接于高压输入电源V_IN与高压NMOS管M14的漏极之间；

所述高压NMOS管M14，其栅极和源极共同连接到地；

所述低压PMOS管M5，其源极与高压输入电源V_IN相连；漏极与低压PMOS管M8的栅极相连；其栅极与低压PMOS管M1~M4的栅极相连；

所述高压PMOS管M13，其源极与高压输入电源V_IN相连；其栅极与低压PMOS管M5的漏极相连；其漏极与低压NMOS管M17的源极相连；

所述低压PMOS管M1~M4和高压PMOS管M9~M12，构成共源共栅电流镜结构；高压PMOS管M9和M10的漏极分别与低压NMOS管M17的漏极和高压NMOS管M16的漏极相连；高压PMOS管M12的漏极作为软起及偏置电路（2）的第一输出端，输出偏置电流IBIAS；高压PMOS管M11的漏极与低压NMOS管M20的漏极相连；该低压NMOS管M20，其源极连接到地；其栅极与自身的漏极相连，并作为软起及偏置电路（2）的第二输出端，输出软启电压V_SOFT；

所述低压NMOS管M17，其漏极与自身栅极相连构成二极管结构；其源极与高压NMOS管M15的漏极相连；

所述高压NMOS管M15、M16和低压NMOS管M18、M19，构成共源共栅电流镜结构；低压NMOS管M18的源极连接到地；低压NMOS管M19的源极通过电阻R1连接到地。