[发明专利]移位寄存器单元、栅极驱动电路及显示器件有效

专利信息
申请号: 201210383062.6 申请日: 2012-10-10
公开(公告)号: CN102903323A 公开(公告)日: 2013-01-30
发明(设计)人: 董向丹;祁小敬;黄炜赟;吴博 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司
主分类号: G09G3/20 分类号: G09G3/20;G09G3/36;G11C19/28
代理公司: 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 代理人: 申健
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 移位寄存器 单元 栅极 驱动 电路 显示 器件
【说明书】:

技术领域

发明涉及液晶显示制造领域,尤其涉及移位寄存器单元、栅极驱动电路及显示器件。

背景技术

近些年来显示器的发展呈现出了高集成度,低成本的发展趋势。其中一项非常重要的技术就是阵列基板行驱动(Gate Driver on Array,简称GOA)的技术量产化的实现。利用GOA技术将栅极开关电路集成在显示面板的阵列基板上以形成对显示面板的扫描驱动,从而可以省掉栅极驱动集成电路部分,其不仅可以从材料成本和制作工艺两方面降低产品成本,而且显示面板可以做到两边对称和窄边框的美观设计。同时由于可以省去Gate方向Bonding(绑定)的工艺,对产能和良率提升也较有利。这种利用GOA技术集成在阵列基板上的栅极开关电路也称为GOA电路或移位寄存器电路。

移位寄存器电路包括若干个移位寄存器单元,每一个移位寄存器单元都对应一个栅线,且除第一个移位寄存器单元和最后一个移位寄存器单元外,其余每个移位寄存器单元的输出端连接与其相邻的下一个移位寄存器单元的信号输入端;现有的移位寄存器单元结构集成了大量的信号线和薄膜场效应晶体管(Thin Film Transistor,简称TFT),使得电路所占空间大大增加了产品成本。

发明内容

本发明的实施例提供一种移位寄存器单元、栅极驱动电路及显示器件,能够降低移位寄存单元中集成的信号线和薄膜场效应晶体管的数量,节约空间,进而降低产品成本。

为达到上述目的,本发明的实施例采用如下技术方案:

第一方面,本发明实施例提供一种移位寄存器单元,包括:预充电模块、信号输出模块、输出电平下拉模块、第一结点电压控制模块和第二结点电压控制模块,第一结点为所述预充电模块与信号输出模块的连接点,第二结点为所述第一结点电压控制模块和第二结点电压控制模块的连接点;

其中,所述预充电模块,连接第一信号输入端和第一结点,用于在所述第一信号输入端的控制下对所述信号输出模块预充电;

所述信号输出模块,连接信号输出端、所述第一结点和第一时钟信号,用于在所述第一结点电压的控制下接通所述第一时钟信号和所述信号输出端;

所述输出电平下拉模块,连接所述信号输出端、第二时钟信号和第一电压端,用于在所述第二时钟信号的控制下接通所述信号输出端和所述第一电压端;

所述第一结点电压控制模块,连接第二时钟信号、所述第一电压端、所述第一结点和第二结点,用于在所述第二时钟信号的控制下接通所述第一结点和所述第一电压端;

所述第二结点电压控制模块,连接所述第一信号输入端、所述信号输出端、所述第一电压端和所述第二结点,用于控制接通所述第二结点和所述第一电压端。

在第一种可能的实现方式中,根据第一方面,

所述预充电模块包括:

第一晶体管,所述第一晶体管的栅极和源极连接所述第一信号输入端,所述第一晶体管的漏极连接所述第一结点;

所述信号输出模块包括:

第二晶体管,所述第二晶体管的栅极连接所述第一结点,所述第二晶体管的源极连接所述第一时钟信号,所述第二晶体管的漏极连接所述信号输出端;

第一电容,所述第一电容的一极连接所述第二晶体管的栅极,所述第一电容的另一极连接所述第二晶体管的漏极;

所述输出电平下拉模块包括:

第三晶体管,所述第三晶体管的栅极连接所述第二时钟信号,所述第三晶体管的源极连接所述信号输出端,所述第三晶体管的漏极连接所述第一电压端;

所述第一结点电压控制模块包括:

第四晶体管,所述第四晶体管的栅极和源极连接所述第二时钟信号,所述第四晶体管的漏极连接所述第二结点;

第五晶体管,所述第五晶体管的栅极连接所述第二结点,所述第五晶体管的源极连接所述第一结点,所述第五晶体管的漏极连接所述第一电压端;

第二结点电压控制模块包括:

第六晶体管,所述第六晶体管的栅极连接所述第一信号输入端,所述第六晶体管的源极连接所述第二结点,所述第六晶体管的漏极连接所述第一电压端;

第七晶体管,所述第七晶体管的栅极连接所述信号输出端,所述第七晶体管的源极连接所述第二结点,所述第七晶体管的漏极连接所述第一电压端。

在第二种可能的实现方式中,根据第一方面,

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