[发明专利]静电放电保护装置

权利要求书

1.一种静电放电保护装置，其特征在于其包括：

一硅控整流器，包括一第一连接端、一第二连接端、一第一控制端与一第二控制端，其中该第一连接端与该第二连接端分别电性连接一第一配线与一第二配线；以及

一路径切换单元，电性连接该第一配线、该第一控制端与该第二控制端，其中当一输入信号供应至该第一配线时，该路径切换单元响应于该输入信号而提供由该第一配线至该第一控制端的一第一电流路径，当一静电脉冲出现在该第一配线时，该路径切换单元响应于该静电脉冲而提供由该第一控制端至该第二控制端的一第二电流路径。

2.根据权利要求1所述的静电放电保护装置，其特征在于其中该路径切换单元包括：

一第一开关，电性连接在该第一配线与该第一控制端之间；

一第二开关，电性连接在该第一控制端与该第二控制端之间；以及

一控制电路，电性连接该第一配线、该第二配线、该第一开关与该第二开关，

其中，该控制电路响应于该静电脉冲而开启该第二开关并关闭该第一开关，以通过该第二开关提供该第二电流路径，且该控制电路响应于该输入信号而开启该第一开关并关闭该第二开关，以通过该第一开关提供该第一电流路径。

3.根据权利要求2所述的静电放电保护装置，其特征在于其中该控制电路包括：

一电容，其第一端电性连接该第一配线；以及

一电阻，其第一端电性连接该电容的第二端，该电阻的第二端电性连接该第二配线，其中该控制电路通过该电容的第二端产生一第一控制信号。

4.根据权利要求3所述的静电放电保护装置，其特征在于其中该第一开关与该第二开关分别由一P型晶体管与一N型晶体管所构成，且该P型晶体管与该N型晶体管分别受控于该第一控制信号。

5.根据权利要求3所述的静电放电保护装置，其特征在于其中该控制电路更包括一反相器，且该反相器的输入端接收该第一控制信号，该反相器的输出端用以产生一第二控制信号。

6.根据权利要求5所述的静电放电保护装置，其特征在于其中该第一开关与该第二开关分别由一第一P型晶体管与一第二P型晶体管所构成,且该第一P型晶体管受控于该第一控制信号，该第二P型晶体管受控于该第二控制信号。

7.根据权利要求2所述的静电放电保护装置，其特征在于其中该控制电路包括：

一电阻，其第一端电性连接该第一配线，该电阻的第二端用以产生一第一控制信号；

一电容，其第一端电性连接该电阻的第二端，该电容的第二端电性连接该第二配线；以及

一反相器，其输入端接收该第一控制信号，该反相器的输出端用以产生一第二控制信号。

8.根据权利要求7所述的静电放电保护装置，其特征在于其中该第一开关与该第二开关分别由一第一P型晶体管与一第二P型晶体管所构成,且该第一P型晶体管受控于该第二控制信号，该第二P型晶体管受控于该第一控制信号。

9.根据权利要求2所述的静电放电保护装置，其特征在于其中该控制电路包括：

一第一P型晶体管，其源极电性连接该第一配线；

一第一N型晶体管，其漏极电性连接该第一P型晶体管的漏极，该第一N型晶体管的栅极电性连接该第一P型晶体管的栅极，该第一N型晶体管的源极电性连接该第二配线；

一第二P型晶体管，其源极电性连接该第一配线，该第二P型晶体管的栅极电性连接该第一P型晶体管的漏极，该第二P型晶体管的漏极用以产生一第一控制信号并电性连接该第一P型晶体管的栅极；以及

一第二N型晶体管，其漏极电性连接该第二P型晶体管的漏极，该第二N型晶体管的栅极接收一电源电压，该第二N型晶体管的源极电性连接该第二配线。

10.根据权利要求9所述的静电放电保护装置，其特征在于其中该第一开关与该第二开关分别由一P型晶体管与一N型晶体管所构成，且该P型晶体管与该N型晶体管分别受控于该第一控制信号。

11.根据权利要求9所述的静电放电保护装置，其特征在于其中该第一P型晶体管的漏极用以产生一第二控制信号，该第一开关与该第二开关分别由一第三P型晶体管与一第四P型晶体管所构成，且该第三P型晶体管受控于该第一控制信号，该第四P型晶体管受控于该第二控制信号。