[发明专利]膜形成装置及膜形成方法无效

专利信息
申请号: 201210379859.9 申请日: 2012-10-09
公开(公告)号: CN103043915A 公开(公告)日: 2013-04-17
发明(设计)人: 坂井 光广;川口 义广 申请(专利权)人: 东京毅力科创株式会社
主分类号: C03C17/00 分类号: C03C17/00
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 王璐
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 形成 装置 方法
【说明书】:

技术领域

本发明涉及一种膜形成装置及膜形成方法,尤其是涉及一种在太阳能电池板的受光面形成抗反射膜的膜形成装置及膜形成方法。

背景技术

太阳能电池具有积层着n型硅与p型硅而成的半导体构造,如果对该半导体照射特定波长的光,那么因光电效应而产生电。该太阳能电池为了高效地吸收太阳光等光,通常以抗反射膜覆盖其板(称为太阳能电池板)的受光面。

以往,作为在太阳能电池板上形成抗反射膜的方法,例如,如专利文献1所揭示,已知利用等离子CVD(Chemical Vapor Deposition,化学气相沉积)法而在所述板上形成含有氢的氮化硅膜的技术等。

[背景技术文献]

[专利文献]

[专利文献1]日本专利特开2005-340358号公报

发明内容

[发明要解决的问题]

然而,在利用等离子CVD法形成抗反射膜的情况下,需要真空排气设备等,而导致设备成为大规模,因此,存在成本增大的课题。

作为解决所述课题的方法,存在以下方法,即,通过对太阳能电池板涂布特定的涂布液,且煅烧涂布膜,而形成抗反射膜。根据该方法,即便不是真空环境,也可在板上形成抗反射膜,从而可降低成本。

作为通过所述涂布膜形成而在板上形成抗反射膜的装置,本申请案申请人以往一直使用如图11所示的布局构成的膜形成装置50。

在图11的膜形成装置50中,首先利用载入器(loader)51,将作为被处理基板的例如长方形的玻璃基板G每1片地供给至旋转送入装置52。

旋转送入装置52(例如以短边侧成为前后方向的方式)改变由载入器51供给的玻璃基板G的朝向,且将玻璃基板G搬入至擦洗单元53。

利用刷洗对搬入至擦洗单元53的玻璃基板G进行清洗处理,之后,实施利用具有加热器的干燥单元54而使残留在基板面的清洗液干燥的处理。

其次,利用搬送机器人55而将玻璃基板G搬入至涂布处理单元56,在该涂布处理单元56中,通过具有沿基板宽度方向延伸的狭缝状的喷嘴口的喷嘴56a在基板G的被处理面上进行扫描,而在所述被处理面上涂布形成抗反射膜用的涂布膜。

利用搬送机器人57,将形成着涂布膜的玻璃基板G从涂布处理单元56中搬出,并且搬入至减压干燥单元58。

在减压干燥单元58中,玻璃基板G收纳在腔室(未图示)内,通过使所述腔室内减压至特定压力,而除去大部分溶剂。

实施减压干燥处理后的玻璃基板G由搬送机器人59取出并交付给路径单元60,利用输送机搬送而被搬入至热处理单元61。

在热处理单元61中,例如一面对玻璃基板G进行辊搬送,一面利用加热器(未图示)将玻璃基板G加热至特定温度,来煅烧被处理面上的涂布膜,从而形成抗反射膜。而且,如果将玻璃基板G搬出热处理单元,那么立即利用冷却单元62将其冷却至特定温度,利用输送机搬送而将其交付给旋转送入装置63,利用旋转送入装置63而使玻璃基板G返回至载入器51。

然而,在图11所示的膜形成装置50中,当实施所述一系列的处理时,需要3台搬送机器人,其结果,存在占地面积(footprint)增大、且处理线的全长变长的课题。

而且,由于处理线的全长变长,且在涂布处理单元56及减压干燥单元58中,必须由搬送机器人55、57、59每1片地进行玻璃基板G的搬入搬出操作,所以节拍时间(Tact Time)变长,而存在生产率降低的课题。

此外,以往当在热处理单元61中煅烧基板G上的涂布膜时,干燥从涂布膜的表面开始进行,而存在膜内部的煅烧不完全、或用来使膜整体完全煅烧所需的热处理单元的长度变长的课题。

本发明是鉴于如上所述的背景技术的问题而完成的,其提供一种在对太阳能电池板的受光面形成抗反射膜的膜形成装置中可缩小装置的占地面积并且缩短处理线的长度、且可实现装置成本的降低及生产率的提升的膜形成装置及膜形成方法。

[解决问题的技术手段]

为了解决所述课题,本发明的膜形成装置通过对构成太阳能电池板的被处理基板涂布特定的涂布液,且煅烧所形成的涂布膜,而形成抗反射膜,该膜形成装置的特征在于包括:涂布处理机构,沿水平方向搬送所述被处理基板,并且从具有在所述基板的宽度方向上较长的喷出口的喷嘴喷出所述涂布液,而在所述基板上形成涂布膜;第1加热处理机构,在第1加热温度下加热形成着所述涂布膜的所述基板;及第2加热处理机构,在高于所述第1加热温度的第2加热温度下加热由所述第1加热处理机构加热过的所述基板。

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