[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，具有包含可重写的多个存储单元的非易失性存储装置、以及控制向该非易失性存储装置的存取的控制电路装置，所述半导体器件的特征在于，

上述控制电路装置与从外部提供的第一地址独立地设定对上述非易失性存储装置的第二地址的分配，以使得用于写入从外部提供的第一写入数据的存储单元的物理配置成为至少相对于一个方向每隔N个配置，其中N为自然数。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

上述控制电路装置能对上述N的值进行编程。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

上述控制电路装置将根据上述第一写入数据生成的ECC码和上述第一写入数据写入到利用上述第二地址指定的每隔N个的存储单元。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

上述控制电路装置将根据上述第一写入数据生成的包含数据压缩信息或写入方法选择信息的冗余数据以及上述第一写入数据写入到利用上述第二地址指定的每隔N个的存储单元。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

上述控制电路装置将压缩了上述第一写入数据的第二写入数据写入到由上述第二地址指定的每隔N个的存储单元中，以减少写入到上述非易失性存储装置的位数。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，

上述第一写入数据的压缩方法是位反转。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

在上述非易失性存储装置中，设定有由物理地连续的多个存储单元构成的第一物理地址区域和第二物理地址区域，

上述控制电路装置针对上述第一物理地址区域分配上述第二地址，以使得至少相对于一个方向每隔N个写入上述第一写入数据，针对上述第二物理地址区域，分配上述第二地址以使得至少相对于一个方向每隔M个写入上述第一写入数据，其中N为自然数、M为0或自然数，且M＜N。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

上述非易失性存储装置具有多个内存条的层叠构造，

上述控制电路装置设定成在至少一组邻接的内存条之间使上述第二地址的分配偏移。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

上述控制电路装置以在上述第二地址上连续的方式写入上述第一写入数据。

10.一种半导体器件，具有包含可重写的多个存储单元的非易失性存储装置、以及控制向该非易失性存储装置的存取的控制电路装置，所述半导体器件的特征在于，

上述控制电路装置具有存储区域，该存储区域存储如下信息：

表示从外部提供的第一地址的第一区域信息、以及

包含对于上述第一区域信息的存储器容量信息、可靠性程度信息、写入存储单元的间隔信息、边界区域信息、测试区域信息、监视用单元数信息、错误检测订正数据尺寸信息、以及写入方法选择信息的第一配置信息。

11.根据权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，

上述第一配置信息是可编程的。

12.根据权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，

上述控制电路装置利用上述第一配置信息的一部分，确定对于上述非易失性存储装置的上述多个存储单元的允许写入区域。

13.根据权利要求12所述的半导体器件，其特征在于，

上述控制电路装置在电源接通后立即确定上述允许写入区域。

14.根据权利要求10所述的半导体器件，其特征在于，

上述控制电路装置具有存储区域，该存储区域存储如下信息：

相对于上述第一地址被独立地分配的针对上述非易失性存储装置的第二地址表示的第二区域信息；以及

包含对于上述第二区域信息的存储器容量信息、可靠性程度信息、写入存储单元的间隔信息、边界区域信息、测试区域信息、监视用单元数信息、错误检测订正数据尺寸信息、以及写入方法选择信息的第二配置信息。

15.根据权利要求14所述的半导体器件，其特征在于，

上述控制电路装置利用上述第一配置信息和上述第二配置信息的一部分，确定与上述第一区域信息和上述第二区域信息分别对应的上述非易失性存储装置的向上述多个存储单元的允许写入区域。