[发明专利]一种用热氧化法制备三氧化钨纳米片的方法

权利要求书

1.一种用热氧化法制备三氧化钨纳米片的方法，其制备步骤如下：

1)清洗衬底;

2)在衬底上镀金属钨薄膜;

3)将步骤2得到的样品放入可以加热的腔室中，往腔室内通入N₂，或惰性气体，或氧气与N₂，或氧气与惰性气体的混合气体,使腔室内氧气浓度降低至小于

10%，所述惰性气体优选Ar气；

4)腔室内温度升高至400℃~800℃，并保温，在此过程中，需通入N₂或者Ar气；

5)不通气自然降温或通惰性气体降温，直至室温。

2.权利要求1所述的一种用热氧化法制备三氧化钨纳米片的方法，其特征在于：步骤2中金属钨薄膜的厚度为200nm~2μm。

3.权利要求1所述的一种用热氧化法制备三氧化钨纳米片的方法，其特征在于：步骤2中采用磁控溅射、或电子束蒸发或电镀方法制备。

4.权利要求1所述的一种用热氧化法制备三氧化钨纳米片的方法，其特征在于：步骤2中金属钨薄膜整片制备在衬底上，或者定域制备在衬底上。

5.权利要求4所述的一种用热氧化法制备三氧化钨纳米片的方法，其特征在于：所述定域制备是指选用光刻法、掩模法或者丝网印刷法等定域制备钨薄膜图形。

6.权利要求1所述的一种用热氧化法制备三氧化钨纳米片的方法，其特征在于：所述衬底选用Si片、或玻璃、或ITO玻璃、或金属或陶瓷。

7.权利要求1所述的一种用热氧化法制备三氧化钨纳米片的方法，其特征在于：步骤3中采用箱式炉、或管式炉或者热板对腔室进行加热。

8.权利要求1所述的一种用热氧化法制备三氧化钨纳米片的方法，其特征在于：步骤4中的保温时间为10min~5h。

9.一种用热氧化法制备三氧化钨纳米片的方法，其制备步骤如下：

1)将块材的金属钨放入可以加热的腔室中，往腔室内通入N₂，或惰性气体，或通入氧气与N₂，或氧气与惰性气体的混合气体，使腔室内氧气浓度降低至小于10%，所述惰性气体优选Ar气；

2)腔室内温度升高至400℃~800℃，并保温，在此过程中，需通入N₂或者Ar气；

3)不通气自然降温或通惰性气体降温，直至室温。

10.根据权利要求9所述的一种用热氧化法制备三氧化钨纳米片的方法，其特征在于：步骤2中的保温时间为10min~5h。