[发明专利]Cs2GeB4O9化合物及其单晶体

权利要求书

1.化学式为Cs₂GeB₄O₉的化合物,该化合物属于四方晶系，空间群为，晶胞参数为，α = β = γ = 90°，Z = 2，晶胞体积为。

2.一种权利要求1的化合物的制备方法，包括如下步骤：将含Cs、Ge、B的化合物原料按Cs、Ge、B摩尔比为2:1:4比例称量，混合均匀后，采用高温固相合成法，在700～820 ℃烧结，冷却至室温，即可获得化合物Cs₂GeB₄O₉。

3.权利要求1所述的化合物Cs₂GeB₄O₉的单晶体。

4.一种权利要求3所述的单晶体的生长方法，包括如下步骤：采用熔盐法，以Cs₂O-B₂O₃体系作为助熔剂，Cs₂O/B₂O₃摩尔比为1/10～10/1；高温溶液按照以Cs为基准时溶质与溶剂摩尔比为1/8～8/1配制；晶体生长温度范围为：850～600 ℃，降温速度是0.1～5 ℃/天，籽晶转动速度为0～60 转/分。

5.一种权利要求3所述的单晶体的生长方法，包括如下步骤：采用熔盐法，以Cs₂O-CsCl-B₂O₃体系作为助熔剂，Cs₂O/CsCl/B₂O₃摩尔比为1～10/1～10/1～10；高温溶液按照以Cs为基准时溶质与溶剂摩尔比为1/8～8/1配制；晶体生长温度范围为：850～600 ℃，降温速度是0.1～5 ℃/天，籽晶转动速度为0～60 转/分。

6.一种权利要求3所述的单晶体的生长方法，包括如下步骤：采用熔盐法，以Cs₂O-CsF-B₂O₃体系作为助熔剂，Cs₂O/CsF/B₂O₃摩尔比为1～10/1～10/1～10；高温溶液按照以Cs为基准时溶质与溶剂摩尔比为1/8～8/1配制；晶体生长温度范围为：850～600 ℃，降温速度是0.1～5 ℃/天，籽晶转动速度为0～60 转/分。

7.一种权利要求3所述的单晶体用于制备激光频率转换器件。

8.根据权利要求7所述的单晶体的用途，其特征在于：该晶体用于实现波长为1.064μm的激光光束的二倍频或三倍频谐波输出。