[发明专利]一种用于高速限幅放大器的接收信号强度指示电路无效

专利信息
申请号: 201210372119.2 申请日: 2012-09-29
公开(公告)号: CN102904533A 公开(公告)日: 2013-01-30
发明(设计)人: 詹伟;方海燕;陈卫洁;程妮 申请(专利权)人: 武汉昊昱微电子股份有限公司
主分类号: H03F3/08 分类号: H03F3/08;G01R19/00;H04B17/00
代理公司: 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42222 代理人: 鲁力
地址: 430074 湖北省武汉市*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 一种 用于 高速 限幅放大器 接收 信号 强度 指示 电路
【权利要求书】:

1.一种用于高速限幅放大器的接收信号强度指示电路,其特征在于,包括:

由若干级放大单元级联组成的多级高速限幅主放大器:用于放大输入信号;

若干级与上述放大单元对应的电压幅值检测器:对每一级放大单元的信号强度进行测量,得到多组信号强度指示电流;

电流加法器:用于将每一级信号幅值指示电流相加,产生最终的信号强度指示电流IRSSI

2.根据权利要求1所述的一种用于高速限幅放大器的接收信号强度指示电路,其特征在于,还包括一个与电流加法器输出端连接的电流电压转换器:用于将信号强度指示电流IRSSI转换为信号强度指示电压VRSSI

3.根据权利要求1所述的一种用于高速限幅放大器的接收信号强度指示电路,其特征在于,所述的每一级电压幅值检测器均包括:两对源极耦合对:NMOS管NM1、NMOS管NM2和NMOS管NM3、NMOS管NM4;两对电流镜:PMOS管PM5、PMOS管PM6和PMOS管PM7和PMOS管PM8;以及两个电流源:电流源Iss1和电流源Iss2;其中,NMOS管NM1、NMOS管NM3的栅极接输入差分信号的一端Vina,NMOS管NM2、NMOS管NM4的栅极接输入差分信号的另一端Vinb;NMOS管NM1、NMOS管NM4的漏极同时与PMOS管的漏极以及栅极相连;NMOS管NM2、NMOS管NM3的漏极同时与PMOS管PM6漏极、PMOS管PM7漏以及PMOS管PM7栅极相连;PMOS管PM6栅极和PMOS管PM5栅极相连;PMOS管PM7栅极和PMOS管PM8栅极相连;NMOS管NM1、NMOS管NM2的源极同时与电流源Iss2相连;NMOS管NM3、NMOS管NM4的源极同时与电流源Iss1相连;电流源Iss1接在NMOS管NM3、NMOS管NM4的源极和电源地之间;电流源Iss2接在NMOS管NM1、NMOS管NM2的源极和电源地之间;所述电流源Iss1和电流源Iss2的电流值相同。

4.根据权利要求3所述的一种用于高速限幅放大器的接收信号强度指示电路,其特征在于,所述电流加法器包括电阻R和与之并联的电容C、以及若干级与上述电压幅值检测器对应的电流源及电流漏转换器;所述电流源及电流漏转换器将上述每一级电压幅值检测器的输出指示电流转换成电流漏形式,然后全部接到电阻R的一端,电阻R的另一端接正电源;电容C和电阻R并联。

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