[发明专利]一种吸波材料在审

专利信息
申请号: 201210371556.2 申请日: 2012-09-29
公开(公告)号: CN103717045A 公开(公告)日: 2014-04-09
发明(设计)人: 刘若鹏;赵治亚;寇超锋;李云龙 申请(专利权)人: 深圳光启创新技术有限公司
主分类号: H05K9/00 分类号: H05K9/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518034 广东省深圳市福田*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 材料
【说明书】:

技术领域

发明涉及材料技术领域,尤其涉及一种吸波材料。

背景技术

随着科学技术发展的日新月异,以电磁波为媒介的各种技术和产品越来越多,电磁波辐射对环境的影响也日益增大。比如,无线电波可能对机场环境造成干扰,导致飞机航班无法正常起飞;移动电话可能会干扰各种精密电子医疗器械的工作;即使是普通的计算机,也会辐射携带信息的电磁波,它可能在几公里以外被接收和重现,造成国防、政治、经济、科技等方面情报的泄漏。因此,治理电磁污染,寻找一种能抵挡并削弱电磁波辐射的材料——吸波材料,已成为材料科学的一大课题。

吸波材料是能吸收投射到它表面的电磁波能量的一类材料,其在包括军事以及其它方面也有广泛的应用,比如隐形机、隐形衣等。材料吸收电磁波的基本条件是:(1)电磁波入射到材料上时,它能最大限度地进入材料内部,即要求材料具有匹配特性;(2)进入材料内部的电磁波能迅速地几乎全部衰减掉,即衰减特性。

现有的吸波材料利用各个材料自身对电磁波的吸收性能,通过设计不同材料的组分使得混合后的材料具备吸波特性,此类材料设计复杂且不具有大规模推广性,同时此类材料的机械性能受限于材料本身的机械性能,不能满足特殊场合的需求。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于,针对现有技术的上述不足,提出一种吸波频段较宽、吸波性能好的吸波材料。

本发明解决其技术问题采用的技术方案是,提出一种吸波材料,其包括设置于目标物体前方的第一电容电阻混合层、第二电容电阻混合层和第三电容电阻混合层;所述第二电容电阻混合层和第三电容电阻混合层结构相同、材料不同;所述第一电容电阻混合层由多个第一单元结构构成,所述第一单元结构包括第一、第二、第三、第四基本单元,第一基本单元包括第一分支以及从第一分支两端向上垂直延伸的第二分支和第三分支,第二分支和第三分支之间等间距的排布有多条第四分支;将第一基本单元以第二分支为旋转轴顺时针旋转90°得到第二基本单元,将第二基本单元以第二单元第二分支为旋转轴顺时针旋转90°得到第三基本单元,将第三基本单元以第三基本单元第二分支为旋转轴顺时针旋转90°得到第四基本单元;将第一基本单元至第四基本单元组合成单元结构时,第一基本单元第二分支与第二基本单元第一分支重合,第二基本单元第二分支与第三基本单元第一分支重合,第三基本单元第二分支与第四基本单元第一分支重合,第四基本单元第二分支与第一基本单元第一分支重合;所述第二、第三电容电阻混合层与第一电容电阻混合层的结构不同之处在于,构成第二、第三电容电阻混合层的第二单元结构和第三单元结构的第二分支和第三分支之间等间距的排布有多条第四分支。

进一步地,所述多个第一单元结构和第二单元结构通过如下方式组合成第一电容电阻混合层和第二电容电阻混合层:第一单元结构的第一基本单元的分支不接触地插入相邻的第一单元结构的第三基本单元相邻分支形成的间隙中,第一单元结构的第二基本单元的分支不接触地插入相邻的第一单元结构的第四基本单元相邻分支形成的间隙中;第二单元结构的第一基本单元的分支不接触地插入相邻的第二单元结构的第三基本单元相邻分支形成的间隙中,第二单元结构的第二基本单元的分支不接触地插入相邻的第二单元结构的第四基本单元相邻分支形成的间隙中。

进一步地,所述第一电容电阻混合层、第二电容电阻混合层和第三电容电阻混合层中,位于同一电容电阻混合层上的所有分支的长度、宽度和厚度均相等,相邻分支的间距均等于分支宽度。

进一步地,所述第一电容电阻混合层、第二电容电阻混合层和第三电容电阻混合层中所有分支厚度均为0.015至0.025毫米。

进一步地,所述第一电容电阻混合层与第二电容电阻混合层的间距、第二电容电阻混合层和第三电容电阻混合层的间距以及第三电容电阻混合层和目标物体的间距相等。

进一步地,所述第一电容电阻混合层和第二电容电阻混合层的间距为1-3毫米。

进一步地,所述第一电容电阻混合层与第二电容电阻混合层之间、第二电容电阻混合层和第三电容电阻混合层之间以及第三电容电阻混合层与目标物体之间填充有空气或为真空。

进一步地,所述第一电容电阻混合层的方块电阻值为145至155欧姆、所述第二电容电阻混合层的方块电阻值为80至110欧姆、所述第三电容电阻混合层的方块电阻值为15至20欧姆。

进一步地,所述第一电容电阻混合层的方块电阻值为250至350欧姆、所述第二电容电阻混合层的方块电阻值为100至120欧姆、所述第三电容电阻混合层的方块电阻值为15至20欧姆。

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