[发明专利]主板在审
申请号: | 201210367016.7 | 申请日: | 2012-09-28 |
公开(公告)号: | CN103699175A | 公开(公告)日: | 2014-04-02 |
发明(设计)人: | 陈俊生 | 申请(专利权)人: | 鸿富锦精密工业(武汉)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
主分类号: | G06F1/16 | 分类号: | G06F1/16;G06F1/32 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 430205 湖北省武汉市东*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 主板 | ||
1.一种主板,该主板包括第一电源、滤波电容及PCI-E插槽,该PCI-E插槽包括电源脚,该PCI-E插槽的电源脚接收自该第一电源输出的电压驱动该PCI-E插槽工作,同时经由该滤波电容接地,其特征在于,该主板还包括一软关机侦测单元、一电源控制电路及一放电电路,该软关机侦测电路侦测该主板是否接收到一软关机指令,并在侦测到该主板接收到该软关机指令时输出一第一控制信号,该电源控制电路用于在该第一控制信号的控制下关断该第一电源向该PCI-E插槽的电源脚的供电,该放电电路与该滤波电容并联,当该电源控制电路关断该第一电源向该PCI-E插槽的供电时,该滤波电容及该PCI-E插槽的残余电能经由该放电电路放电。
2.如权利要求1所述的主板,其特征在于:该软关机侦测单元未接收到软关机指令时输出一第二控制信号,该电源控制电路在该第二控制信号的控制下保持该第一电源向该PCI-E插槽的电源脚的供电。
3.如权利要求1所述的主板,其特征在于:该电源控制电路包括一第一开关单元、一第二开关单元及第二电源,该第二电源经由该第一开关单元接地,从而定义一连接在该第二电源与该第一开关单元之间的节点,该第二开关单元连接在该第一电源与该PCI-E插槽的电源脚之间,且该第二开关单元的控制端连接至该节点,该第一开关单元在该软关机侦测单元发出的该第一控制信号的作用下拉低该节点的电位,迫使该第二开关单元关断,从而关断该第一电源向该PCI-E插槽的供电。
4.如权利要求3所述的主板,其特征在于,该电源控制电路还包括第一电阻,该第一电阻连接该第二电源及该第二电源与该第一开关单元之间的该节点。
5.如权利要求3所述的主板,其特征在于,该第一开关单元包括包括第一导通控制端、第二导通控制端及第三导通控制端,该第二开关单元包括第四导通控制端、第五导通控制端及第六导通控制端,该第一导通控制端连接该软关机侦测单元接收该控制信号,并在该控制信号的控制下控制该第二导通控制端与该第三导通控制端导通或者截止,该第四导通控制端连接该第三导通控制端,以作为该第二开关单元的控制端。
6.如权利要求5所述的主板,其特征在于,该第一开关单元为NMOS场效应晶体管,该第一导通控制端为该NMOS场效应晶体管的栅极,该第二导通控制端为该NMOS场效应晶体管的源极,该第三导通控制端为该NMOS场效应晶体管的漏极,该第二开关单元为PMOS场效应晶体管,该第四导通控制端为该PMOS场效应晶体管的栅极,该第五导通控制端为该PMOS场效应晶体管的源极,该第六导通控制端为该PMOS场效应晶体管的漏极。
7.如权利要求5所述的主板,其特征在于,该第一开关单元为三极管,该第一导通控制端为该三极管的发射极,该第二导通控制端为该三极管的发射极,该第三导通控制端为该三极管的集电极。
8.如权利要求2所述的主板,其特征在于,该第一控制信号及该第二控制信号为PMW控制信号。
9.如权利要求3所述的主板,其特征在于,该第二电源的电压值大于该第一电源的电压值。
10.如权利要求1至9任一项所述的主板,其特征在于,该放电电路为电阻或二极管,当该放电电路为二极管时,该二极管的正极连接该电源脚,该二极管的负极接地。
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