[发明专利]一种参考电压的驱动电路

权利要求书

1.一种参考电压的驱动电路，其特征在于，所述驱动电路包括闭环负反馈环路和开环支路，所述开环支路中包括N沟道金属氧化物半导体NMOS管（M31）和NMOS管（M32）；

NMOS管（M31）的漏极连接至电源VDD，NMOS管（M31）的栅极接入闭环负反馈环路所提供的第一偏置电压，NMOS管（M31）的源极输出参考电压Vrp；

NMOS管（M32）的漏极与NMOS管（M31）的源极相连接，NMOS管（M32）的栅极接入闭环负反馈环路所提供的第二偏置电压，NMOS管（M32）的源极通过隔离电器件接地，NMOS管（M32）的源极输出参考电压Vrn。

2.根据权利要求1所述的驱动电路，其特征在于，

所述隔离电器件为NMOS管（M33），所述NMOS管（M33）的漏极连接至NMOS管（M32）的源极，所述NMOS管（M33）的栅极接入闭环负反馈环路所提供的第三偏置电压，所述NMOS管（M33）的源极接地。

3.根据权利要求2所述的驱动电路，其特征在于，所述闭环负反馈环路包括支路（21），支路（21）中包括NMOS管（M34）、NMOS管（M35）和NMOS管（M36），支路（21）被设置为支路（21）上的电流与开环支路上的电流的比例关系为1：K，其中，

NMOS管（M34）的漏极连接至电源VDD，NMOS管（M34）的栅极接入第一偏置电压并与NMOS管（M31）的栅极相连接，NMOS管（M34）的源极与NMOS管（M35）的漏极相连接；

NMOS管（M35）的栅极接入第二偏置电压并与NMOS管（M32）的栅极相连接，NMOS管（M35）的源极与NMOS管（M36）的漏极相连接；

NMOS管（M36）的栅极接入第三偏置电压并与NMOS管（M33）的栅极相连接，NMOS管（M36）的源极接地。

4.根据权利要求3所述的驱动电路，其特征在于，所述闭环负反馈环路中包括差分运放器（40）和差分运放器（41），所述驱动电路还包括偏置电流源，

差分运放器（40）的差分运放正输入端接入初始参考电压Vrpin，差分运放器（40）的差分运放负输入端连接至NMOS管（M34）的源极，差分运放器（40）的输出端连接电荷泵（24）的一端，电荷泵（24）的另一端连接至NMOS管（M34）的栅极，向NMOS管（M34）和NMOS管（M31）的栅极提供所述第一偏置电压；

差分运放器（41）的差分运放正输入端接入初始参考电压Vrnin，差分运放器（41）的差分运放负输入端连接至NMOS管（M35）的源极，差分运放器（41）的输出端连接至NMOS管（M35）的栅极，向NMOS管（M35）和NMOS管（M32）的栅极提供所述第二偏置电压；

偏置电流源的输出端连接至NMOS管（M37）的漏极，NMOS管（M37）的源极与NMOS管（M38）的漏极相连接，NMOS管（M38）的源极接地，

偏置电流源的输出端和NMOS管（M38）的栅极都连接至NMOS管（M36）的栅极，向NMOS管（M36）和NMOS管（M33）的栅极提供所述第三偏置电压。

5.根据权利要求4所述的驱动电路，其特征在于，

差分运放器（40）的差分运放负输入端通过电阻（R1）连接至NMOS管（M34）的源极；

差分运放器（41）的差分运放负输入端通过电阻（R2）连接至NMOS管（M35）的源极。

6.根据权利要求4所述的驱动电路，其特征在于，

NMOS管（M34）的栅极还连接至电容（25）的一端，电容（25）的另一端接地；

NMOS管（M35）的栅极还连接至电容（26）的一端，电容（26）的另一端接地；

NMOS管（M36）的栅极还连接至电容（27）的一端，电容（27）的另一端接地。

7.根据权利要求4所述的驱动电路，其特征在于，所述电荷泵（24）包括电容（C1）和电容（C2），

电容（C1）的一端通过开关（K11）与直流电压Vbn2接通或断开并通过开关（K21）与电容（C2）的一端接通或断开，电容（C1）的另一端通过开关（K12）与电源VDD接通或断开并通过开关（K22）与电容（C2）的另一端接通或断开；

电容（C2）的一端还连接至差分运放器（40）的输出端，电容（C2）的另一端还连接至NMOS管（M34）的栅极。