[发明专利]CMP研磨液、基板研磨方法和电子部件有效
申请号: | 201210361951.2 | 申请日: | 2010-12-10 |
公开(公告)号: | CN102876236A | 公开(公告)日: | 2013-01-16 |
发明(设计)人: | 筱田隆;榎本和宏;阿久津利明 | 申请(专利权)人: | 日立化成工业株式会社 |
主分类号: | C09G1/02 | 分类号: | C09G1/02;C09K3/14;H01L21/3105 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 金鲜英;刘强 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | cmp 研磨 方法 电子 部件 | ||
1.一种CMP研磨液,其为将第1液和第2液混合使用的CMP研磨液,
所述第1液含有包含氧化铈粒子的铈系研磨粒、分散剂和水,
所述第2液含有聚丙烯酸化合物、表面活性剂、磷酸或磷酸衍生物中的至少一方的磷酸化合物和水,
所述第1液的pH为7.0以上,
所述第2液的pH为6.5以上,
以所述磷酸化合物的含量在以CMP研磨液总质量为基准时达到0.01~1.0质量%的方式混合所述第1液和所述第2液。
2.一种CMP研磨液,其为将第1液和第2液混合而得到的CMP研磨液,
所述第1液的pH为7.0以上,
所述第2液的pH为6.5以上,
含有包含氧化铈粒子的铈系研磨粒、分散剂、聚丙烯酸化合物、表面活性剂、磷酸或磷酸衍生物中的至少一方的磷酸化合物和水,
所述磷酸化合物的含量在以CMP研磨液总质量为基准时为0.01~1.0质量%。
3.一种基板研磨方法,其具备研磨液制备工序:将含有包含氧化铈粒子的铈系研磨粒、分散剂和水且pH为7.0以上的第1液、与含有聚丙烯酸化合物、表面活性剂、磷酸或磷酸衍生物中的至少一方的磷酸化合物和水且pH为6.5以上的第2液混合,获得所述磷酸化合物的含量在以CMP研磨液总质量为基准时为0.01~1.0质量%的CMP研磨液;和
研磨工序:使用所述CMP研磨液,对在至少一个面上形成有被研磨膜的基板的该被研磨膜进行研磨。
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