[发明专利]放大电路和包括该放大电路的无线通信装置

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求于2011年11月21日向韩国知识产权局提交的日本专利申请第2011-254075号的优先权，其全部内容结合于此作为参考。

技术领域

本发明涉及一种放大电路和包括该放大电路的无线通信装置。

背景技术

在诸如移动电话或无线数据通信装置的无线通信系统中，用于放大接收到的信号的放大电路被安装在信号接收侧。低噪声放大器（LNA）可以被提供为放大电路的实例。LNA是通过将在电路本身中产生的噪声降低到其尽可能最低的水平来放大信号的电路，因此，LNA是设置在无线接收电路的前端处的必要电路（请参见专利文献1）。

在使用互补金属氧化物半导体（CMOS）实现LNA的情况下，可以降低LNA的制造成本。因此，该方案的需求已经增加。另外，由于LNA的原始任务，需要LNA不断地具有较高的线性度，使得减小噪声系数（NF）并且去除干扰波。

同时，在CMOS LNA电路用于例如时分双工（TDD）的情况下，当CMOS LNA电路由于功耗减少的需求而在发送期间不工作时，需要阻止电流流至CMOS LNA电路。

根据现有技术，为了在CMOS LNA不工作时阻止电流流至单个末端的CMOS LNA电路，在偏置电路侧，使用源电压将LNA电路的输入晶体管的栅极偏置电压（例如，接地电位）均衡。

然而，由于连接在栅极电压与偏置电路的节点之间的电阻器，所以LNA电路通常具有存在于其中的大的电阻和电容元件。此外，根据由电阻和电容元件限定的时间常数，改变栅极偏置电压需要一定的时间周期。

在CMOS LNA电路用于时分双工的情况下，可能发生栅极偏置电压的改变无法与发送和接收的切换时间相匹配的问题。为了解决该问题，已经考虑了在LNA电路的输入晶体管的第一端处安装开关的方法。然而，在开关安装在LNA电路的输入晶体管的前端处的情况下，存在LNA的NF将增加的风险。

[相关技术文献]

（专利文献1）日本专利公开第2008-295088号

发明内容

本发明的一方面提供了一种能够被配置为在互补金属氧化物半导体的低噪声放大器（CMOS LNA）电路不工作时阻止电流流向CMOS LNA电路而不增加噪声系数（NF）的放大电路，以及一种包括该放大电路的无线通信装置。

根据本发明的一个方面，提供一种放大电路，包括：输入晶体管，具有连接至信号输入端子的栅电极，连接至电源端子的漏电极，以及连接至接地端子的源电极，信号输入端子用于输入在其中接收到的无线信号；第一开关，被安装在该信号输入端子和该输入晶体管的栅电极之间；第二开关，被安装在该电源端子和该输入晶体管子的漏电极之间，其中，该输入晶体管具有施加到其栅电极的预定偏置电压，以当将预定偏置电压施加至输入晶体管的栅电极时，在该无线信号的接收期间同时使第一开关和第二开关导通，在无线信号的发送期间同时使第一开关和第二开关截止。

根据该构造，输入晶体管可以具有连接至输入所接收的无线信号的信号输入端子的栅电极，连接至电源端子的漏电极，以及连接至接地端子的源电极，第一开关可以被安装在该信号输入端子和该输入晶体管的该栅电极之间，第二开关可以被安装在该电源端子和该输入晶体管的漏电极之间。该输入晶体管可以具有施加到其该栅电极的预定偏置电压，以当将预定的偏置电压施加至输入晶体管的栅电极时，在该无线信号的接收期间同时使第一开关和第二开关导通，而在该无线信号的发送期间同时使第一开关和第二开关截止。根据该构造，电流在该放大电路的非操作期间无法流向该放大电路，同时不增加噪声系数（NF）。

无线信号可以通过时分双工被收发。

根据本发明的另一方面，提供了一种包括上述放大电路的无线通信装置。

附图说明

从以下结合附图的详细描述中，将更清楚的理解本发明的以上和其它方面、特征以及其它优点，其中：

图1是示出了根据本发明实施方式的无线通信装置的构造的框图；

图2是示出了包括在根据本发明实施方式的无线通信装置中的低噪声放大器（LNA）的构造的电路图；以及

图3是示出了提供给驱动器电路的控制电压和偏置电压的状态的曲线图；

图4是示出了在放大电路中流动的电流的变化的曲线图。

具体实施方式

下文中，将参照附图详细描述本发明的实施方式。此外，在整个本说明书和附图中，具有相同功能的元件由相同的参考标号表示，并且将省略对其的重复描述。

<1.本发明的实施方式>