[发明专利]一种ARM FLASH简易程序烧写的方法有效

专利信息
申请号: 201210356963.6 申请日: 2012-09-21
公开(公告)号: CN103677885B 公开(公告)日: 2019-03-05
发明(设计)人: 黄达福;彭勇;任赋;郑福弟 申请(专利权)人: 厦门雅迅网络股份有限公司
主分类号: G06F8/654 分类号: G06F8/654
代理公司: 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 代理人: 李雁翔;连耀忠
地址: 361000 福建*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 一种 arm flash 简易程序 方法
【说明书】:

本发明涉及一种ARM FLASH简易程序烧写的方法,J‑LINK仿真器将PC端与NAND目标板进行连接,将制作好烧写程序的U盘连接到NAND目标板上,步骤如下:1)PC端将初始化程序下载至目标板的CPU片内的SRAM中,初始化目标板的CPU片外的SDRAM内存;2)PC端将加载程序下载至目标板的CPU片外的SDRAM中,自动读取目标文件,完成烧写。PC与J‑LINK可以用于另一套目标板的烧写工作,节约成本,提高了生产维护效率。程序的烧写由板卡自动完成,不再利用J‑LINK直接对目标板进行烧写,解决了非主流处理不支持利用J‑LINK直接烧写的缺点,通用性大大增强,具有极大的推广意义与价值。

技术领域

本发明涉及一种程序烧写固化到存储介质的领域,更具体地说,涉及一种ARMFLASH简易程序烧写的方法。

背景技术

NAND FLASH以其大存储量和低成本特点广泛替代了NOR FLASH,然而ARM9板载NAND FLASH程序的烧写非常困难。

目前,大多数烧写程序到NAND FLASH的方法主要有以下三种:

第一种是通过H-JTAG工具把需要烧写的固件直接固化到NAND FLASH中;

第二种是运行开发套件如(ADS1.2)软件,通过AXD调试接口把程序直接固化到NANDFLASH中;

第三种是通过NAND FLASH专业烧写工具将购买的芯片固化程序后,再焊接使用。

以上三种方法都存在一定的缺点:

第一种方法的缺点是:(1)烧写速度慢,特别是烧写大文件时速度更慢;(2)另外由于NAND FLASH在出厂是有部分坏块,而H-JTAG工具不能检测坏块,从而导致烧写不成功。

第二种方法的缺点是:(1)烧写速度慢,特别是烧写大文件时速度更慢;(2)另外由于NAND FLASH在出厂是有部分坏块,不能检测坏块,从而导致烧写不成功;(3)需要生产人员熟练使用该软件,而且操作繁琐,效率低。

第三种方法的缺点是:购买芯片的成本较高。

中国发明专利申请201210132951.5公开了一种基于J-LINK间接烧写程序到NANDFLASH的方法,包括如下步骤:(1)、根据嵌入式主板机的硬件特性编写一个特制程序,所述特制程序具有NAND FLASH读写命令,并可以与计算机进行通讯;(2)、编写一个J-LINK软件批处理命令脚本;(3)、使用J-LINK软件将所述的特制程序下载到嵌入式主板机内存中运行;(4)、嵌入式主板机与计算机进行信息交互;(5)、通过命令将目标文件从计算机下载至嵌入式主板机内存;(6)、通过所述特制程序中的NAND FLASH读写命令,将嵌入式主板机内存中的目标文件固化到NAND FLASH中。

与现有技术相比,上述发明提供的基于J-LINK间接烧写程序到NAND FLASH的方法,不仅速度加快、操作简单、成本低,而且该方法能够识别NAND FLASH坏块,从而避开坏块达到稳定烧写的目的。

但是,对于主流的处理器,J-LINK对其烧写有直接的支持,但烧写速度很慢,且每个板载NAND烧写过程至始至终都需要独享一套PC+J-LINK与之交互,该方式严重影响了生产维护效率。对于非主流的处理器,J-LINK不支持直接对其NAND进行烧写。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术的不足,提供一种烧写速度快、对PC与J-LINK的依赖程度低、生产效率高、几乎适用于所有处理器的通用的ARM FLASH简易程序烧写的方法。

本发明的技术方案如下:

一种ARM FLASH简易程序烧写的方法,J-LINK仿真器将PC端与NAND目标板进行连接,将制作好烧写程序的U盘连接到NAND目标板上,步骤如下:

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