[发明专利]一种SMD石英晶体谐振器镀膜电极有效
| 申请号： | 201210355577.5 | 申请日： | 2012-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN102868382A | 公开（公告）日： | 2013-01-09 |
| 发明（设计）人： | 刘青彦;梁羽杉;杨清明 | 申请（专利权）人： | 成都晶宝时频技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H03H9/125 | 分类号： | H03H9/125 |
| 代理公司： | 成都高远知识产权代理事务所(普通合伙) 51222 | 代理人： | 李高峡;全学荣 |
| 地址： | 610041 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 smd 石英 晶体 谐振器 镀膜 电极 | ||
【权利要求书】：
1.一种SMD石英晶体谐振器镀膜电极，镀膜电极（2）附着在晶片（1）的表面；其特征在于：所述镀膜电极（2）包括矩形区（6）和与其连接的弓形区（7）。
2.根据权利要求1所述的SMD石英晶体谐振器镀膜电极，其特征在于：所述镀膜电极（2）包括由内到外依次排列的下镀铬层（3）、镀银层（4）、上镀铬层（5）。
3.根据权利要求1所述的SMD石英晶体谐振器镀膜电极，其特征在于：所述弓形区（7）的弓形角为80至100度。
4.根据权利要求1所述的SMD石英晶体谐振器镀膜电极，其特征在于：所述弓形区（7）的弦长等于矩形区（6）的纵向宽度。
5.根据权利要求1所述的SMD石英晶体谐振器镀膜电极，其特征在于：所述镀膜电极（2）的横向尺寸为1.2mm，纵向尺寸为1.0mm。
6.根据权利要求2所述的SMD石英晶体谐振器镀膜电极，其特征在于：所述下镀铬层（3）的厚度为2至3nm。
7.根据权利要求2所述的SMD石英晶体谐振器镀膜电极，其特征在于：所述上镀铬层（5）的厚度为1至2nm。
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