[发明专利]稀土镁合金熔炼及纯净化的方法无效
申请号: | 201210353840.7 | 申请日: | 2012-09-21 |
公开(公告)号: | CN103667755A | 公开(公告)日: | 2014-03-26 |
发明(设计)人: | 肖旅;李宝辉;彭立明;邹文兵;付彭怀;李中权 | 申请(专利权)人: | 上海航天精密机械研究所;上海交通大学 |
主分类号: | C22C1/03 | 分类号: | C22C1/03;C22C1/06;C22C23/06;C22C23/00;B22D1/00;B22D21/04;B22C9/08 |
代理公司: | 上海航天局专利中心 31107 | 代理人: | 张绪成 |
地址: | 201600*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 稀土 镁合金 熔炼 净化 方法 | ||
1.一种稀土镁合金熔炼及纯净化的方法,其特征在于,包括如下步骤:
配制原料步骤:依据设计的合金名义成分配制原料,并将所有原料进行预热,并保温一段时间;其中,所述原料包括镁锭、镁稀土中间合金、以及镁锆中间合金;
熔炼步骤:加热坩埚电阻炉,坩埚温度升至500℃~600℃时,加入镁锭,盖上坩埚电阻炉盖,同时通入保护气体,升温熔化,然后依次加入镁稀土中间合金、镁锆中间合金进行熔炼,形成熔体;
熔剂精炼步骤:将熔体搅拌均匀后,加入精炼剂进行精炼;以及
浇注步骤:精炼完毕后,保温静置一段时间,然后随炉冷却至浇注温度,浇注铸锭或铸件,并选用氧化镁泡沫陶瓷对熔体进行过滤。
2.如权利要求1所述的稀土镁合金熔炼及纯净化的方法,其特征在于,所述镁稀土中间合金中的稀土元素的重量占所述镁稀土中间合金总重量的80%~90%。
3.如权利要求2所述的稀土镁合金熔炼及纯净化的方法,其特征在于,所述稀土元素为Gd、Y、Nd、Sm、Ce、La、Pr中的一种或几种。
4.如权利要求1所述的稀土镁合金熔炼及纯净化的方法,其特征在于,所述配制原料步骤中的原料预热的温度为200℃。
5.如权利要求1所述的稀土镁合金熔炼及纯净化的方法,其特征在于,所述配制原料步骤中的原料预热后的保温时间为8小时。
6.如权利要求1所述的稀土镁合金熔炼及纯净化的方法,其特征在于,所述熔炼步骤中的镁稀土中间合金的加入温度为800℃~820℃,若有两种或两种以上镁稀土中间合金,则需在前一次稀土中间合金加入和搅拌均匀后熔体温度回升至800℃~820℃再次加入;镁稀土中间合金加入和搅拌均匀后,待熔体温度回升至780℃~800℃加入镁锆中间合金,搅拌均匀。
7.如权利要求1所述的稀土镁合金熔炼及纯净化的方法,其特征在于,所述熔炼步骤中的保护气体为CHClF2和CO2的混合气体,其中CHClF2气体的比例为0.8%。
8.如权利要求1所述的稀土镁合金熔炼及纯净化的方法,其特征在于,所述熔剂精炼步骤具体为:在熔体搅拌均匀后,待熔体温度升至790℃~820℃,保温15~30分钟后,加入精炼剂,所述精炼剂的重量为合金总重量的2%,并充分搅拌。
9.如权利要求8所述的稀土镁合金熔炼及纯净化的方法,其特征在于,所述精炼剂为JDMJ熔剂。
10.如权利要求1所述的稀土镁合金熔炼及纯净化的方法,其特征在于,所述氧化镁泡沫陶瓷的孔径为10ppi~20ppi。
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