[发明专利]一种监控弱点形成原因的方法

权利要求书

1.一种监控弱点形成原因的方法，其特征在于，包括：

步骤一：建立OPC模型和监控模型，所述OPC模型是根据多个位置处的图案对应地在测试版图上的初始测试版图尺寸和经光刻工艺后在样品晶片的样品晶片尺寸来获得的，所述监控模型是根据所述多个位置处的图案对应地在所述测试版图上的修正后测试版图尺寸和所述样品晶片尺寸来获得的，其中，所述修正后测试版图尺寸是根据所述多个位置处的图案对应地在测试掩膜版上的测试掩膜版尺寸来修正的；以及

步骤二：利用所述OPC模型和所述监控模型来确定晶片上的弱点的形成原因。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤一包括：

提供测试版图；

对所述测试版图进行第一光学临近修正，并将第一光学临近修正后的图案转移到测试掩膜版上；

利用所述光刻工艺将所述测试掩膜版上的图案转移到样品晶片上；

在所述测试版图上选定多个位置，测量所述多个位置处的图案在所述测试版图上的初始测试版图尺寸，并测量所述多个位置处的图案对应地在所述测试掩膜版上的测试掩膜版尺寸和在所述样品晶片上的样品晶片尺寸；

根据所述测试掩膜版尺寸来修正所述初始测试版图尺寸，以获得修正后测试版图尺寸；以及

根据所述初始测试版图尺寸和所述样品晶片尺寸拟合OPC模型，且根据所述修正后测试版图尺寸和所述样品晶片尺寸拟合监控模型，其中，在所述OPC模型中所述初始测试版图尺寸和所述样品晶片尺寸一致，在所述监控模型中所述初始测试版图尺寸和所述样品晶片尺寸一致。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，令所述初始测试版图尺寸和所述样品晶片尺寸一致以进行所述OPC模型的模拟，令所述修正后测试版图尺寸和所述样品晶片尺寸一致以进行所述监控模型的模拟，使得所述OPC模型和所述监控模型用于确定所述光刻工艺的工艺参数。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述OPC模型和所述监控模型用于确定所述光刻工艺中的光学部分和光刻胶部分的工艺参数。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤二包括：

提供版图；

对所述版图进行第二光学临近修正，并将第二光学临近修正后的图案转移到掩膜版上；

利用OPC模型确定的光刻工艺将所述掩膜版上的图案转移到晶片上；

测量所述晶片上的弱点对应地在所述掩膜版上的掩膜版尺寸；以及

判断所述弱点的所述掩膜版尺寸是否超出尺寸预定值，如果所述弱点的所述掩膜版尺寸超出尺寸预定值，将确定所述弱点是由所述掩膜版的关键尺寸不符合标准所引起的。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，如果所述弱点的所述掩膜版尺寸未超出尺寸预定值，所述方法还包括：

基于所述OPC模型获取所述弱点对应地在所述版图上的初始版图尺寸，并基于所述监控模型获取根据所述掩膜版尺寸来修正所述初始版图尺寸而得到的修正后版图尺寸；

判断所述修正后版图尺寸是否等于所述弱点在所述晶片上的晶片尺寸；

如果所述修正后版图尺寸等于所述弱点在所述晶片上的晶片尺寸，判断所述初始版图尺寸是否等于所述修正后版图尺寸；

如果所述初始版图尺寸等于所述修正后版图尺寸，则判断出所述OPC模型是正确的，且所述弱点是由所述第二光学临近修正所引起的；以及

如果所述初始版图尺寸不等于所述修正后版图尺寸，则判断出所述OPC模型是错误的，且所述弱点是由所述OPC模型所引起的。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，如果所述修正后版图尺寸不等于所述弱点在所述晶片上的晶片尺寸，所述方法还包括：

基于所述监控模型来确定所述弱点的掩膜误差增进因子；以及

判断所述弱点的所述掩膜误差增进因子是否大于因子预定值，如果所述弱点的所述掩膜误差增进因子大于所述因子预定值，则判断出所述弱点是由掩膜误差增进因子偏高所引起的。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，如果所述弱点的所述掩膜误差增进因子不大于所述因子预定值，所述方法还包括：

基于所述监控模型来确定所述光刻工艺的工艺窗口；

判断所述工艺窗口是否在预定范围内，如果所述工艺窗口在所述预定范围内，则判断出所述弱点是由有限的工艺窗口所引起的。