[发明专利]磁共振成像装置

说明书

本申请是申请日为2008年11月14日、申请号为200810176172.9、发明名称为“磁共振成像装置以及RF线圈”的申请的分案申请。

本发明享有2007年11月22日申请的日本专利申请号2007－303003、以及2008年10月22日申请的日本专利申请号2008－272463的优先权的利益，并在本申请中引用这些日本专利申请的全部内容。

技术领域

本发明涉及磁共振成像（imaging）装置以及RF（Radio Frequency，射频）线圈，特别涉及可以抑制在RF线圈的周边产生的热的磁共振成像装置以及RF线圈。

背景技术

磁共振成像装置是对设置于静磁场中的被检体施加高频磁场，并检测由于该高频磁场而从被检体发生的磁共振信号来对图像进行重构的装置。这样的磁共振成像装置具有向被检体施加高频磁场，进而检测从被检体发生的磁共振信号的RF线圈。该RF线圈中，有使用单一的线圈来进行高频磁场的施加和磁共振信号的检测的发送接收兼用的线圈、以及使用不同的发送用和接收用的线圈进行各自的动作的线圈。

一般来讲，RF线圈是使用铜箔等薄的导电部件形成的，在该导电部件上，连接有用于对RF线圈的动作进行控制的规定的电路元件。例如，在RF线圈上，连接有用于使高频磁场的频率与共振频率调谐的共振电路中包含的电容器（capacitor）、和在RF线圈为发送接收兼用的情况下成为用于在发送/接收这两个模式间切换动作模式（mode）的开关（switch）的PIN（P－Intrinsic－N）二极管等。

这些电路元件如果被供给电流则发热，所以在使磁共振成像装置工作时，在RF线圈的周边产生热。该热有可能传递至被检体。因此，在磁共振成像装置的工作中，需要恰当地冷却RF线圈周边的热。因此，提出了如下的技术：通过在磁共振成像装置中设置冷却装置，并使用该冷却装置向RF线圈周边等有可能发热的位置送入冷却空气，而冷却在磁共振成像装置内发生的热（例如参照日本特开平8－322815号公报）。

但是，在RF线圈的周边，由于各种电路元件的发热而局部性地发生热，所以仅通过如以往那样简单地对RF线圈送入冷却空气，有时无法高效地抑制发热。在对体重较重的被检体进行摄影的情况等需要向RF线圈供给大的电流的情况下，常常发生该现象。

发明内容

本发明的一个方式的磁共振成像装置具备向设置于静磁场中的被检体施加高频磁场的RF线圈，上述RF线圈具有多个导电部件和与上述多个导电部件连接的电路元件，上述导电部件的至少一部分被形成为满足分散从上述电路元件发生的热的厚度、分散从上述电路元件发生的热的形状、和分散从上述电路元件发生的热的材质中的任意一个或多个条件。

另外，本发明的其它方式的RF线圈具备于磁共振成像装置，该RF线圈向设置于静磁场中的被检体施加高频磁场，具有多个导电部件和与上述多个导电部件连接的电路元件，上述导电部件的至少一部分被形成为满足分散从上述电路元件发生的热的厚度、分散从上述电路元件发生的热的形状、和分散从上述电路元件发生的热的材质中的任意一个或多个条件。

附图说明

图1是用于说明本实施例的MRI装置的整体结构的图。

图2是示出本实施例的RF线圈的结构的图。

图3是示出梯级（rung）部与电路元件的连接位置的图。

图4是示出环状（ring）部与电路元件的连接位置的图。

图5是示出由导流（guide）部形成的流路以及冷却空气流的图（1）。

图6是示出由引导部形成的流路以及冷却空气流的图（2）。

图7是示出RF线圈中的铜箔的厚度、有无送风以及电路元件周边的温度变化的关系的曲线图。

具体实施方式

以下参照附图，对本发明的磁共振成像装置以及RF线圈的优选的实施例进行详细说明。另外，以下，将磁共振成像装置称为“MRI（Magnetic Resonance Imaging）装置”。

首先，对本实施例的MRI装置的整体结构进行说明。图1是用于说明本实施例的MRI装置的整体结构的图。如图1所示，该MRI装置100具有静磁场磁铁110、倾斜磁场线圈120、RF线圈130、倾斜磁场电源141、发送部142、接收部143、时序（sequence）控制装置150、床装置160和计算机（computer）170。

静磁场磁铁110是形成为筒状的磁铁，利用从静磁场电源（未图示）供给的电流，在配置有被检体P的筒内部的空间发生静磁场。