[发明专利]一种射频信号中低频段高抑制双工器

权利要求书

1.一种射频信号中低频段高抑制双工器，其特征在于：包括由腔体壁分隔开的两个相邻腔体，分别为第一腔体（1)和第二腔体（2)，第一腔体（1)和第二腔体（2)的一侧采用盖板(3)封闭；在第一腔体（1)内部设有TX滤波器，第一腔体（1)侧面设有与TX滤波器输入端相连的TX端口（4），在第二腔体（2)内部设有RX滤波器，在第二腔体（2)侧面设有与RX滤波器输入端连接的RX端口（5）；在相对TX端口（4）和RX端口（5）另一侧的腔体侧面设有公共端口（6），该公共端口（6）与TX滤波器输出端和RX滤波器输出端共同连接,且两个滤波器在该连接处的隔墙开有通槽实现耦合。

2.根据权利要求1所述的射频信号中低频段高抑制双工器，其特征在于：TX滤波器是七个依次相连的谐振腔,即第一谐振腔（21）到第七谐振腔（27）,每个谐振腔的中心位置安装了一个谐振杆（7），第一谐振腔（21）的谐振杆和第七谐振腔（27）的谐振杆分别通过耦合导线（14）与TX端口（4）及公共端口（6）连接，并且在第二谐振腔（22）与第四谐振腔（24）之间，第五谐振腔（25）与第七谐振腔（27）之间安装有容性交叉耦合装置。

3.根据权利要求1所述的射频信号中低频段高抑制双工器，其特征在于：RX滤波器是七个依次相连的谐振腔,即第八谐振腔（31）到第十四谐振腔（37）,每个谐振腔的中心位置安装了一个谐振杆，第八谐振腔（31）的谐振杆和第十四谐振腔（37）的谐振杆分别通过耦合导线（14）与RX端口（5）及公共端口（6）连接，并且在第九谐振腔（32）与第十一谐振腔（34）之间，第十二谐振腔（35）与第十四谐振腔（37）之间安装有感性交叉耦合装置（13）。

4.根据权利要求1至3任何一项所述的射频信号中低频段高抑制双工器，其特征在于：所述谐振杆（7）采用多盘式结构，各谐振腔侧边采用多层凸台（8）结构，两者相互交叉式耦合连接。

5.根据权利要求2所述的射频信号中低频段高抑制双工器，其特征在于：所述容性交叉耦合装置为连接两根谐振杆的容性交叉耦合片（10），在容性交叉耦合片（10）与谐振杆之间垫有一个起绝缘作用的介质片（11）。

6.根据权利要求3所述的射频信号中低频段高抑制双工器，其特征在于：感性交叉耦合装置（13）是安装在谐振杆底面腔体上的调谐跨线。