[发明专利]基准电压电路

说明书

技术领域

本发明涉及产生温度依赖性小的恒压的基准电压电路。

背景技术

以往，作为产生温度依赖性小的恒压的基准电压电路，公知有产生与硅的带隙值大致相等的电压的带隙基准电压电路（例如，参考专利文献1）。

图4是示出以往的带隙基准电压电路的结构图。以往的带隙基准电压电路具备PN结401、PN结402、电阻值为R1的电阻器403、晶体管404、晶体管405、晶体管406、与电阻器403同种类型（相同的温度特性）且电阻值为R2的电阻器407、PN结408以及放大器409。PN结401和PN结402的有效面积比（例如阳极/阴极接合面积比）为1：K1的关系。

晶体管404和晶体管405由于栅源间电压相等，所以流过基于尺寸比的电流。例如，如果尺寸比为1:1，则晶体管404和晶体管405流过大致相等的电流。此处，以晶体管404和晶体管405的电流大致相等为前提。放大器409控制流过晶体管404和晶体管405的电流，使得电压VA和电压VB相等。此时，流过晶体管405的电流Ib如（1）式所示。

Ib＝VT×{1n(K1)}/R1…(1)

此处，VT是热电压，表示为kT/q。其中，q是单位电子电荷，k是玻尔兹曼常数，T是绝对温度。

晶体管406流过基于电流Ib的电流。如果假定晶体管405和晶体管406的尺寸比是1:1、PN结408中产生的电压是Vpn3，则基准电压Vref如（2）式所示。

Vref＝Vpn3+(R2/R1)×VT×{1n(K1)}…(2)

由于电压Vpn3具有大约-2.0mV/℃的负的温度特性，所以第一项示出负的温度特性。由于热电压VT具有正的温度特性，所以第二项示出正的温度特性。对（2）式关于T进行微分，求出使其为0的条件，则如（3）式所示。

(R2/R1)×(k/q)×{1n(K1)}＝0.002…(3)

因此，如果将（R2/R1）设定为满足（3）式，则能够实现温度依赖性小的基准电压Vref。

这样，得到了产生温度依赖性小的电压的基准电压电路。

专利文献1：日本特开2008-305150号公报

但是，在以往的带隙基准电压电路中，根据式（2）和（3），基准电压Vref大约为1.25V。因此，存在这样的问题：无法使工作电压成为受其限制的电压以下。

发明内容

本发明是为了解决上述的各种问题而完成的，实现产生温度依赖性小、且更低的电压的基准电压电路。

本发明的基准电压电路构成为，具备：带隙电压产生电路，其具有两个PN结，并输出基于PN结的电压Vk和基于两个PN结的电压差的电流Ik；以及对电压Vk进行分压的分压电路，分压电路利用输入的电流Ik对分压电压进行校正并作为基准电压进行输出。

根据本发明的基准电压电路，能够提供产生温度依赖性小、且低压的基准电压的基准电压电路。

附图说明

图1是示出第一实施方式的基准电压电路的结构图。

图2是示出第二实施方式的基准电压电路的结构图。

图3是示出第三实施方式的基准电压电路的结构图。

图4是示出以往的带隙基准电压电路的结构图。

标号说明

100带隙电压产生电路；101分压电路；12、31a、32b、409放大器。

具体实施方式

图1至图3是示出本实施方式的基准电压电路的结构图。

本实施方式的基准电压电路具备带隙电压产生电路100和分压电路101。带隙电压产生电路100根据两个PN结（有效面积比例如阳极/阴极接合面积比为1：K1的关系）的电压，生成并输出电压Vk和电流Ik。分压电路101根据从带隙电压产生电路100输入的电压Vk和电流Ik，输出基准电压Vref。

<第一实施方式>

图1示出第一实施方式的基准电压电路的结构图。

带隙电压产生电路100具备PN结401和402、电阻器403、晶体管404和405、放大器409和晶体管11。分压电路101具备放大器12、电阻器13和14。