[发明专利]一种用于熔解晶体硅的坩埚及其制备方法和喷涂液

权利要求书

1.一种用于熔解晶体硅的坩埚，其特征在于，包括坩埚本体（1），所述的坩埚本体（1）的内表面涂覆有涂层（2），所述的涂层（2）由喷涂液喷涂而成，所述喷涂液包含氮化硅、烧结添加剂、在常温下能够与坩埚本体（1）粘结的有机粘结剂、无机粘结剂和烧结粘结剂。

2.根据权利要求1所述的用于熔解晶体硅的坩埚，其特征在于，所述的喷涂液包含以下成份的重量份：

氮化硅：100；              烧结添加剂：0.05～6.0；

无机粘结剂：0.05～6.0；    有机粘结剂：0.5～50；

烧结粘结剂：1.0～40。

3.根据权利要求1所述的用于熔解晶体硅的坩埚，其特征在于，所述喷涂液中还包含分散剂。

4.根据权利要求3所述的用于熔解晶体硅的坩埚，其特征在于，所述分散剂选自有机硅、聚乙烯醇、聚丙烯酸中的一种或几种。

5.根据权利要求1或3或4所述的用于熔解晶体硅的坩埚，其特征在于，所述喷涂液中还包含膨胀剂。

6.根据权利要求5所述的用于熔解晶体硅的坩埚，其特征在于，所述的膨胀剂为氨基甲酸乙酯、氨基乙酸乙酯中的一种或几种。

7.根据权利要求1所述的用于熔解晶体硅的坩埚，其特征在于，所述的无机粘结剂为纳米无机粘结剂。

8.根据权利要求1或7所述的用于熔解晶体硅的坩埚，其特征在于，所述的无机粘结剂选自莫来石、胶体二氧化硅、氟硅酸钠、磷酸氧化物中的一种或几种。

9.根据权利要求1所述的用于熔解晶体硅的坩埚，其特征在于，所述的烧结粘结剂为纳米金属氧化物。

10.根据权利要求1或9所述的用于熔解晶体硅的坩埚，其特征在于，所述的烧结粘结剂选自氧化铝、氧化钙、氧化镁、二氧化硅中的一种或多种。

11.根据权利要求1所述的用于熔解晶体硅的坩埚，其特征在于，所述的有机粘结剂选自聚乙烯醇、甲基丙烯酸正丙酯、甲基丙烯酸正丁酯中的一种或几种。

12.根据权利要求1所述的用于熔解晶体硅的坩埚，其特征在于，所述的烧结添加剂选自稀土或稀土氧化物中一种或几种。

13.根据权利要求12所述的用于熔解晶体硅的坩埚，其特征在于，所述的稀土氧化物选自氧化钇、氧化镧、氧化镨、氧化铒中的一种或几种。

14.根据权利要求1所述的用于熔解晶体硅的坩埚，其特征在于，所述坩埚本体（1）采用含氧化铝的原料制成。

15.根据权利要求1所述的用于熔解晶体硅的坩埚，其特征在于，所述坩埚本体（1）采用含氧化钇的原料制成。

16.根据权利要求1所述的用于熔解晶体硅的坩埚，其特征在于，所述坩埚本体（1）采用含氧化锆的原料制成。

17.根据权利要求1所述的用于熔解晶体硅的坩埚，其特征在于，所述坩埚本体（1）采用含氮化硅的原料制成。

18.根据权利要求1或3或14或15或16或17所述的用于熔解晶体硅的坩埚，其特征在于，所述的涂层的平均厚度不小于1mm。

19.一种用于熔解晶体硅的坩埚的涂层的喷涂液，其特征在于，所述喷涂液包含氮化硅、烧结添加剂、在常温下能够与坩埚本体（1）粘结的有机粘结剂、无机粘结剂和烧结粘结剂。

20.根据权利要求19所述的用于熔解晶体硅的坩埚的涂层的喷涂液，其特征在于，所述喷涂液包含以下成分的重量份：

氮化硅：100；          烧结添加剂：0.05～6.0；

无机粘结剂：0.05～6.0；有机粘结剂：0.5～50；

烧结粘结剂：1.0～40。

21.根据权利要求19所述的用于熔解晶体硅的坩埚的涂层的喷涂液，其特征在于，所述喷涂液中还包含分散剂。

22.根据权利要求21所述的用于熔解晶体硅的坩埚的涂层的喷涂液，其特征在于，所述分散剂选自有机硅、聚乙烯醇、聚丙烯酸中的一种或几种。

23.根据权利要求19或21或22所述的用于熔解晶体硅的坩埚的涂层的喷涂液，其特征在于，所述喷涂液还包含膨胀剂。