[发明专利]用于在电压之间切换的系统和方法

权利要求书

1.一种用于在多个电压之间切换的系统，包括：

输出端；

第一开关，其耦合至所述输出端；

第二开关，其耦合至所述输出端；

第一控制传输门，其耦合至所述第一开关并且被配置成耦合至第一电压源；以及

第二控制传输门，其耦合至所述第二开关并且被配置成耦合至第二电压源。

2.根据权利要求1所述的系统，其中：

所述第一控制传输门被配置成从所述第一电压源接收第一负电压和正电压，所述第一负电压包括编程电压；以及

所述第二控制传输门被配置成从所述第二电压源接收第二负电压和所述正电压，所述第二负电压包括偏置电压。

3.根据权利要求2所述的系统，其中所述第一控制传输门、所述第二控制传输门、所述第一开关和所述第二开关被配置成给所述输出端提供所述第一负电压和所述第二负电压中的较小者。

4.根据权利要求3所述的系统，其中所述第一控制传输门、所述第二控制传输门、所述第一开关和所述第二开关被配置成利用所述正电压给所述输出端提供所述第一负电压和所述第二负电压中的较小者。

5.根据权利要求1所述的系统，还包括：

第一电平位移器，其耦合在所述第一控制传输门和所述第一电压源之间；以及

第二电平位移器，其耦合在所述第二控制传输门和所述第二电压源之间。

6.根据权利要求5所述的系统，其中：

所述第一电平位移器包括第一电压输出端和第二电压输出端；以及

所述第一控制传输门包括：

第一节点，其耦合至所述第一电压输出端，

第二节点，其耦合至所述第二开关，

第一P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（pMOSFET）器件，其包括第一栅极、第一源极和第一漏极，所述第一栅极耦合至所述第一开关，所述第一源极耦合至所述第一节点，所述第一漏极耦合至所述第二节点，以及

第一N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（nMOSFET）器件，其包括第二栅极、第二源极和第二漏极，所述第二栅极耦合至所述第二电压输出端，所述第二源极耦合至所述第一节点，所述第二漏极耦合至所述第二节点。

7.根据权利要求6所述的系统，其中：

所述第二电平位移器包括第三电压输出端和第四电压输出端；以及

所述第二控制传输门包括：

第三节点，其耦合至所述第三电压输出端，

第四节点，其耦合至所述第一开关，

第二pMOSFET器件，其包括第三栅极、第三源极和第三漏极，所述第三栅极耦合至所述第二开关，所述第三源极耦合至所述第三节点，所述第三漏极耦合至所述第四节点，以及

第二nMOSFET器件，其包括第四栅极、第四源极和第四漏极，所述第四栅极耦合至所述第四电压输出端，所述第四源极耦合至所述第三节点，所述第四漏极耦合至所述第四节点。

8.根据权利要求7所述的系统，其中：

所述第一开关是包括第五栅极、第五源极和第五漏极的第三nMOSFET器件，所述第五栅极耦合至所述第四节点，所述第五源极耦合至所述输出端，所述第五漏极耦合至所述第一栅极；以及

所述第二开关是包括第六栅极、第六源极和第六漏极的第四nMOSFET器件，所述第六栅极耦合至所述第二节点，所述第六源极耦合至所述输出端，所述第六漏极耦合至所述第三栅极。

9.根据权利要求8所述的系统，其中：

所述第一pMOSFET器件和所述第二pMOSFET器件是高电压pMOSFET器件；以及

所述第一nMOSFET器件、所述第二nMOSFET器件、所述第三nMOSFET器件和所述第四nMOSFET器件是高电压nMOSFET器件。

10.根据权利要求7所述的系统，其中：

所述第一电压输出端和所述第二电压输出端互补；以及

所述第三电压输出端和所述第四电压输出端互补。

11.根据权利要求10所述的系统，其中：

所述第一电平位移器包括第一负电压输入端和第一逻辑输入端；以及

所述第二电平位移器包括第二负电压输入端和第二逻辑输入端。