[发明专利]用于隔离高压功率控制元件的方法和装置有效
申请号: | 201210319438.7 | 申请日: | 2012-07-27 |
公开(公告)号: | CN102902297B | 公开(公告)日: | 2016-11-30 |
发明(设计)人: | E·贝当古 | 申请(专利权)人: | 瓦特制动器有限公司 |
主分类号: | G05F1/66 | 分类号: | G05F1/66 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 舒雄文;王英 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 隔离 高压 功率 控制元件 方法 装置 | ||
1.一种高压功率控制系统,包括:
低压控制系统,具有产生低压控制信号的低压电源,所述低压控制信号由产生一个或多个低压控制信号的第一控制元件控制,将所述一个或多个低压控制信号施加至隔离元件以产生一个或多个高压控制信号;以及
隔离控制系统,具有产生隔离低压控制信号的低压电源,所述隔离低压控制信号由在所述一个或多个高压控制信号的控制下的第二控制元件控制,以产生施加至负载控制元件的一个或多个负载控制信号,所述负载控制元件控制从高压电源至一个或多个高压负载的高压电能的施加。
2.根据权利要求1所述的高压功率控制系统,其中,所述隔离元件包括:
光隔离器。
3.根据权利要求1所述的高压功率控制系统,其中,所述第一和第二控制元件是低压继电器。
4.根据权利要求1所述的高压功率控制系统,其中,所述第一控制元件是开关,所述第二控制元件是晶体管开关电路。
5.根据权利要求1所述的高压功率控制系统,其中,所述第一控制元件是开关,所述第二控制元件是三端双向可控硅开关电路。
6.根据权利要求1所述的高压功率控制系统,其中,所述第一控制元件是开关,所述第二控制元件是可控硅整流器开关电路。
7.一种高压功率控制系统,包括:
低压控制系统,将第一低压控制信号施加至第一控制元件,所述第一控制元件产生一个或多个低压控制信号,将所述一个或多个低压控制信号施加至隔离元件以产生一个或多个高压控制信号;以及
隔离高压控制系统,具有产生隔离低压控制信号的隔离低压电源,所述隔离低压控制信号由在所述一个或多个高压控制信号的控制下的第二控制元件控制,以产生施加至负载控制元件的一个或多个负载控制信号,所述负载控制元件控制从高压电源至一个或多个高压负载的高压电能的施加。
8.根据权利要求7所述的高压功率控制系统,其中,所述隔离元件包括:
光隔离器。
9.根据权利要求7所述的高压功率控制系统,其中,所述第二控制元件是低压继电器。
10.根据权利要求7所述的高压功率控制系统,其中,所述第二控制元件是晶体管开关电路。
11.根据权利要求7所述的高压功率控制系统,其中,所述第二控制元件是三端双向可控硅开关电路。
12.根据权利要求7所述的高压功率控制系统,其中,所述第二控制元件是可控硅整流器开关电路。
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