[发明专利]一种Nd3+:Lu2O3半透明纳米陶瓷的制备方法有效

专利信息
申请号: 201210318923.2 申请日: 2012-09-03
公开(公告)号: CN102807368A 公开(公告)日: 2012-12-05
发明(设计)人: 周鼎;任玉英;徐家跃;金敏;储耀卿 申请(专利权)人: 上海应用技术学院
主分类号: C04B35/50 分类号: C04B35/50;C04B35/622
代理公司: 上海申汇专利代理有限公司 31001 代理人: 吴宝根
地址: 200235 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 nd sup lu sub 半透明 纳米 陶瓷 制备 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种Lu2O3纳米陶瓷制备的技术领域,特别涉及一种Nd3+:Lu2O3半透明纳米陶瓷的制备方法。

背景技术

当前,关于Nd3+:Lu2O3半透明纳米陶瓷烧结致密化工艺,不乏有采用SPS、热压、热等静压等烧结工艺制备细晶粒陶瓷的报道,但其实验条件较高,或者对样品存在污染,也难以制备大尺寸样品。

国际上W.Strek等通过高压低温烧结(8GPa,450℃)制备了Y3Al5O12(YAG)纳米晶粒(-100nm)的透明陶瓷,透过率达到60%,但该法对设备要求及其苛刻,且由于超高压条件,烧结体存在较大应力,容易开裂。

发明内容

本发明的目的为了解决上述的技术问题而提供一种Nd3+:Lu2O3半透明纳米陶瓷的制备方法,即在常压、还原气氛中下,采用多步烧结法,优选三步烧结法,成功制备了一种Nd3+:Lu2O3半透明纳米陶瓷。其制备过程无需复杂设备,工艺简单,适合制备大尺寸纳米陶瓷样品。且采用该方法制备的纳米陶瓷,块体致密、均匀,几无应力。

本发明的技术方案

一种Nd3+:Lu2O3半透明纳米陶瓷的制备方法,即在常压、流动氢气氛中,将Nd3+:Lu2O3素坯在1400℃-1750℃采用多步烧结后降至室温即得Nd3+:Lu2O3纳米半透明陶瓷。

所述的多步烧结优选为三步烧结,以三步烧结为例,其烧结过程的温度控制曲线的示意图如图1所示,图1中,第一步烧以20-40℃/min的升温速度至1400℃保温,保温15~30min;第二步烧结以10-20℃/min的升温速度升温至1600-1750℃,保温15~30min;第三步烧结控制温度为1600-1700℃,保温6-20h。

上述的一种Nd3+:Lu2O3半透明纳米陶瓷的三步烧结制备方法,其具体包括如下步骤:

(1)、将化学法制备的Nd离子掺杂Lu2O3高烧结活性粉体等静压成Nd3+:Lu2O3素坯后,置于真空炉中500-800℃保温2h,冷却至室温,即得用于烧结Nd3+:Lu2O3纳米陶瓷的素坯;

(2)、将步骤(1)所得的用于烧结Nd3+:Lu2O3纳米陶瓷的素坯置于流动氢气炉中,通氢气以排空炉腔中的空气后,以20-40℃/min的升温速度至1400-1600℃保温,保温15~30min;

(3)、步骤(2)保温结束后,立即以10-20℃/min的升温速度升温至1600-1750℃,优选1720~1750℃, 保温15~30min;

(4)、步骤(3)保温结束后,立即断电降温至1600-1700℃,保温6-20h;

(5)、步骤(4)保温结束后,在氢气气氛保护下,以10-50℃/h的降温速率降温至室温,出炉,即得一种Nd3+:Lu2O3半透明纳米陶瓷。

上述的一种Nd3+:Lu2O3半透明纳米陶瓷的制备方法所得的Nd3+:Lu2O3半透明纳米陶瓷,其晶粒尺寸在300~800nm之间,经阿基米德排水法检测其致密度达到99.5%以上,最终所得的Nd3+:Lu2O3半透明纳米陶瓷呈半透明、不开裂,发射强度也远高于氢气氛1850℃烧结6h所得的普通微米陶瓷。

本发明的有益效果

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