[发明专利]一种多晶硅铸锭炉和多晶硅铸锭方法

权利要求书

1.一种多晶硅铸锭炉，包括用于支撑硅料承载容器的底板，其特征在于，所述底板表面的热导率不同。

2.根据权利要求1所述多晶硅铸锭炉，其特征在于，所述底板包括：

底板主体和控温部件，所述底板主体和控温部件的热导率不同。

3.根据权利要求2所述多晶硅铸锭炉，其特征在于，所述底板主体的热导率为10W/(m·K)~1000W/(m·K)。

4.根据权利要求2所述多晶硅铸锭炉，其特征在于，所述控温部件的热导率为0.01W/(m·K)~50W/(m·K)。

5.根据权利要求2所述多晶硅铸锭炉，其特征在于，所述温控部件呈多个尺寸相同的矩形，且以阵列方式排布在所述底板主体上。

6.根据权利要求2所述多晶硅铸锭炉，其特征在于，所述温控部件呈多个尺寸不同的矩形，且多个矩形具有共同的几何中心。

7.根据权利要求2所述多晶硅铸锭炉，其特征在于，所述温控部件呈多个圆形，且以阵列方式排布在所述底板主体上。

8.根据权利要求2所述多晶硅铸锭炉，其特征在于，所述底板主体为一平板结构。

9.根据权利要求8所述多晶硅铸锭炉，其特征在于，所述底板主体表面设置有凹槽。

10.根据权利要求9所述多晶硅铸锭炉，其特征在于，所述控温部件设置在所述凹槽内，且所述温控部件填满所述凹槽。

11.根据权利要求8所述多晶硅铸锭炉，其特征在于，所述温控部件直接贴合在所述底板主体表面上。

12.根据权利要求11所述多晶硅铸锭炉，其特征在于，所述温控部件的厚度为1mm~20mm。

13.根据权利要求8所述多晶硅铸锭炉，其特征在于，所述底板主体内设置有通透槽，所述通透槽贯穿所述底板主体。

14.根据权利要求13所述多晶硅铸锭炉，其特征在于，所述温控部件设置在所述通透槽内。

15.根据权利要求1所述多晶硅铸锭炉，其特征在于，还包括：

热交换台，所述热交换台设置在所述底板下方。

16.根据权利要求15所述多晶硅铸锭炉，其特征在于，所述热交换台上设置有通气槽，所述通气槽为外界气体在所述底板与热交换台之间的流动通道。

17.根据权利要求16所述多晶硅铸锭炉，其特征在于，所述底板下方设置有开槽，所述开槽与通气槽相配合作为外界气体在所述底板与热交换台之间的流动通道。

18.根据权利要求16所述多晶硅铸锭炉，其特征在于，所述底板上设置有贯通所述底板的通孔，所述通孔与所述通气槽相配合作为外界气体在所述底板与热交换台之间的流动通道。

19.根据权利要求15所述多晶硅铸锭炉，其特征在于，还包括：

保温板，所述保温板围成一保温腔；

冷却铜板，所述冷却铜板位于保温腔的底部；

底部加热器，所述底部加热器位于冷却铜板上方，且所述底部加热器上方设置有热交换台和底板；

坩埚，所述坩埚用于盛放硅料，所述坩埚外围设置有防护板，且所述坩埚和防护板位于底板上方；

顶部加热器，所述顶部加热器位于保温腔的顶部。

20.一种多晶硅铸锭方法，其特征在于，包括：

通过底部加热器和顶部加热器为置于硅料承载容器内的硅料加热，使之熔化；

控制保温腔内的温度分布，形成平行于硅料承载容器底部的横向温度梯度和垂直于硅料承载容器底部的纵向温度梯度，使液态的硅料结晶生长，最终形成多晶硅锭。

21.根据权利要求20所述多晶硅铸锭方法，其特征在于，形成所述横向温度梯度，包括：通过提供具有不同表面热导率底板的方法形成所述横向温度梯度，所述底板用于承载硅料承载容器。

22.根据权利要求20所述多晶硅铸锭方法，其特征在于，形成所述横向温度梯度，包括：通过气冷的的方式控制所述底板的温度，形成所述横向温度梯度。