[发明专利]非隔离LED驱动系统及非隔离LED驱动恒流控制电路有效
申请号: | 201210289133.6 | 申请日: | 2012-08-14 |
公开(公告)号: | CN103596319A | 公开(公告)日: | 2014-02-19 |
发明(设计)人: | 闾建晶;胡如波 | 申请(专利权)人: | 华润矽威科技(上海)有限公司 |
主分类号: | H05B37/02 | 分类号: | H05B37/02 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 陆嘉 |
地址: | 201103 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 隔离 led 驱动 系统 控制电路 | ||
技术领域
本发明涉及一种非隔离LED驱动系统及非隔离LED驱动恒流控制电路。
背景技术
发光二极管(LED)是电流控制的发光器件,亮度和色温基本只和其正向电流相关,因此LED需要极为精准的恒流驱动来保证其发光效果。现有技术中主流的通用照明非隔离LED驱动电路为非隔离的浮动升压(buck)架构。图1示出了现有技术中的一种浮动buck架构,包括续流二极管D,其阴极接收输入电压Vin并连接LED负载的阳极;电感L,其一端连接续流二极管D的阳极,另一端连接LED负载的阴极;MOS晶体管M0,其漏极连接续流二极管D的阳极,源极经由电流采样电阻Rcs接地,栅极接收控制信号。
图2示出了图1所示的非隔离LED驱动dialup工作信号图,该架构常见的恒流控制方法为电流峰值控制配合固定关断时间机制,其恒流原理如下:
ma=(Vin-Vled)/L,mb=Vled/L;
其中,ma为MOS晶体管M0导通时电感电流IL的上升斜率(图2中ma1、ma2、ma3分别对应不同的IL斜率),mb为MOS晶体管M0关断时电感电流IL的下降斜率,Vin为输入电压的电压值,Vled为LED负载两端的压降,L为电感L的电感量;
仍然参考图2,根据图2中电感电流IL的波形可以确定:
IL=Vref/Rcs-0.5*toff*mb=Vref/Rcs-0.5*toff*Vled/L;
其中,Vref为预设参考电压的电压值,Rcs为电流采样电阻Rcs的电阻值,toff为MOS晶体管M0的关断时间。另外,图2中的IL0为稳态时MOS晶体管M0导通起始时的电感电流。
对于浮动buck架构,稳态时流过LED负载的电流Iled=IL,即:
Iled=Vref/Rcs-0.5*toff*Vled/L;
上述方法存在下面的缺点:
1.Iled和Vled相关,负载调整率差;
2.由于采用峰值控制,控制电路延时造成电流过冲,过冲量斜率为ma,和Vin,、Vled以及L都相关,线性调整率受到较大影响,需要添加补偿电路;
3.Iled和关键器件电感的电感量L相关,在生产时由于电感量L的偏差造成一致性较差。
公开号为CN101808444A的中国专利申请中对此技术进行了改良,但仍然是固定关断时间模式,其信号波形见图3,只是导通时间控制略有不同,具体措施是对开关MOS晶体管开始导通到电感电流IL到达Vref/Rcs的时间进行计时并存储为t1,开关MOS晶体管继续导通,当继续导通的时间t2=t1时,开关MOS晶体管关断。观察图3中所示的电感电流IL波形可知,LED负载的电流Iled=IL=Vref/Rcs,输出电流和输入输出电压以及电感值均无关系,可以实现较好的恒流效果。但此种方法的缺点是难以对t1,t2的时间量进行精确控制,导致恒流精度下降。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种非隔离LED驱动系统及非隔离LED驱动恒流控制电路,使得输出电流对系统的输入电压、输出电压以及电感量均不敏感,有利于实现优异的负载调整率、批量一致性以及线性调整率,能够省去线性调整率的补偿电路。
为解决上述技术问题,本发明提供了一种非隔离LED驱动恒流控制电路,配置为与非隔离LED驱动电路耦合,所述非隔离LED驱动电路包括:
续流二极管,其阴极接收输入电压并连接LED负载的阳极;
电感,其第一端连接所述续流二极管的阳极,其第二端连接所述LED负载的阴极;
MOS晶体管,其漏端连接所述续流二极管的阳极,其源极经由电流采样电阻接地,其源极经由接地电阻接地;
所述非隔离LED驱动恒流控制电路包括:
电压采样保持电路,对所述电流采样电阻两端的电压进行采样,并将其峰值保持为峰值采样电压Vcs_pk;
采样补偿电路,对所述MOS晶体管的栅极电压进行采样,获得所述MOS晶体管的导通时间ton、所述MOS晶体管的开关周期Tsw、所述续流二极管在所述MOS晶体管关断时的导通时间tdis,并根据如下公式计算产生输出信号:(ton+tdis)/Tsw;
乘法器,将所述采样电压Vcs_pk与所述采样补偿电路产生的输出信号(ton+tdis)/Tsw相乘;
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