[发明专利]支持多LLID ONU的PON口节能方法和ONU有效
| 申请号: | 201210286558.1 | 申请日: | 2012-08-13 |
| 公开(公告)号: | CN103596069B | 公开(公告)日: | 2018-06-12 |
| 发明(设计)人: | 孙杰 | 申请(专利权)人: | 中兴通讯股份有限公司 |
| 主分类号: | H04Q11/00 | 分类号: | H04Q11/00 |
| 代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 李健;龙洪 |
| 地址: | 518057 广东省深圳市南山*** | 国省代码: | 广东;44 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 休眠 休眠状态 节能 时间确定 休眠通知 兼容 | ||
1.一种支持多逻辑链路标识符LLID的光网络单元ONU的无源光网络PON口节能方法,其特征在于,所述方法包括:
接收来自光线路终端OLT的休眠通知;
当本ONU工作在多LLID模式下,判断本ONU的所有LLID是否均被要求进入休眠状态,当本ONU的所有LLID均被要求进入休眠状态时,根据每个LLID对应的休眠时间确定所有LLID共有的休眠时间,所述休眠时间由休眠开始时间和休眠持续时间组成;
在所述共有的休眠时间内进入休眠状态,关闭PON口;
其中,所述根据每个LLID对应的休眠时间确定所有LLID共有的休眠时间进一步包括:
将每个LLID对应的休眠时间作为该LLID对应的休眠时间集;
寻找所有LLID对应的休眠时间集的交集;
将所述交集作为所有LLID共有的休眠时间。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述在所述共有的休眠时间内进入休眠状态,关闭PON口进一步包括:
判断所述所有LLID共有休眠时间中的休眠持续时间是否大于或等于预设的时间段,仅在所述所有LLID共有休眠时间中的休眠持续时间大于或等于预设的时间段时,使所述工作在多LLID模式下的ONU在所述共有的休眠时间内进入休眠状态,关闭PON口。
3.如权利要求1~2任一项所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:
在接收到来自OLT的休眠通知后,若判断出本ONU工作在单LLID模式下,则直接进入休眠状态,关闭PON口。
4.一种进行无源光网络PON口节能的支持多逻辑链路标识符LLID的光网络单元ONU,其特征在于,所述ONU包括ONU与光线路终端OLT通信模块、休眠参数计算模块以及休眠状态控制模块,其中,
所述ONU与OLT通信模块,用于接收来自光线路终端OLT的休眠通知,判断本ONU是否工作在多LLID模式下,如果本ONU工作在多LLID模式下,触发所述休眠参数计算模块;
所述休眠参数计算模块,用于接收到所述ONU与OLT通信模块的触发信号后,判断本ONU的所有LLID是否均被要求进入休眠状态,当本ONU的所有LLID均被要求进入休眠状态时,根据每个LLID对应的休眠时间确定所有LLID共有的休眠时间,所述休眠时间由休眠开始时间和休眠持续时间组成;以及将所述LLID共有的休眠时间发送至所述休眠状态控制模块;
所述休眠状态控制模块,用于在所述LLID共有的休眠时间内使本ONU进入休眠状态,关闭PON口;
其中,所述休眠参数计算模块,用于根据每个LLID对应的休眠时间确定所有LLID共有的休眠时间进一步包括:
所述休眠参数计算模块,用于将每个LLID对应的休眠时间作为该LLID对应的休眠时间集;寻找所有LLID对应的休眠时间集的交集;将所述交集作为所有LLID共有的休眠时间。
5.如权利要求4所述的ONU,其特征在于,所述休眠状态控制模块,用于在所述LLID共有的休眠时间内进入休眠状态,关闭PON口进一步包括:
所述休眠状态控制模块,用于从所述休眠参数计算模块获取所有LLID共有的休眠时间后,判断所述所有LLID共有休眠时间中的休眠持续时间是否大于或等于预设的时间段,仅在所述所有LLID共有休眠时间中的休眠持续时间大于或等于预设的时间段时,使所述工作在多LLID模式下的ONU在所述共有的休眠时间内进入休眠状态,关闭PON口。
6.如权利要求4~5任一项所述的ONU,其特征在于,
所述ONU与OLT通信模块,还用于在判断出本ONU工作在单LLID模式下时,触发休眠状态控制模块;
所述休眠状态控制模块,还用于接收到来自ONU与OLT通信模块的触发信号后,直接使本ONU进入休眠状态,关闭PON口。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中兴通讯股份有限公司,未经中兴通讯股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210286558.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种半导体器件的制造方法
- 下一篇:阵列基板及其制备方法、显示装置





