[发明专利]光检测元件、光检测装置和自动照明装置

权利要求书

1.一种光检测元件，其特征在于，包括：

透光性基板；

配置在所述透光性基板上的吸收光的光吸收层；

配置在所述透光性基板上的检测电极；和

以覆盖所述光吸收层的表面的方式形成的绝缘膜，

所述检测电极的至少一部分埋入到所述光吸收层，

使光从所述透光性基板的背面入射，利用所述检测电极检测从所述光吸收层产生的电流。

2.如权利要求1所述的光检测元件，其特征在于：

所述检测电极由一对电极构成，各电极具有梳形状，梳齿以规定的间隔相互咬合形成。

3.如权利要求1所述的光检测元件，其特征在于：

在所述透光性基板上的光入射面侧形成有吸收特定波长范围的光的光学滤光器。

4.如权利要求3所述的光检测元件，其特征在于：

在所述透光性基板的侧面形成有绝缘膜，该绝缘膜吸收与所述光学滤光器吸收的波长范围相同波长范围的光。

5.如权利要求1所述的光检测元件，其特征在于：

包括包围到所述透光性基板的背面位置为止的侧面的封装件，所述透光性基板和所述封装件利用粘合层接合。

6.如权利要求1所述的光检测元件，其特征在于：

所述光吸收层利用光电转换进行光的检测。

7.如权利要求1所述的光检测元件，其特征在于：

所述光学滤光器是使膏状的物质固化而得到的光学滤光器，所述膏状的物质包含用于吸收特定的波长范围的光的半导体颗粒。

8.如权利要求7所述的光检测元件，其特征在于：

所述半导体颗粒是IVA族或IVB族元素的半导体、IIA族或IIB族元素和VIA族或VIB族元素的化合物半导体、IIIA族或IIIB族元素和VA或VB族元素的化合物半导体、IIIA族或IIIB族元素和VIA族或VIB族元素的化合物半导体中的任意一种半导体的颗粒。

9.如权利要求7所述的光检测元件，其特征在于：

所述膏状的物质的主要成分由玻璃类材料、丙烯酸树脂、硅树脂、非晶氟树脂中的任意一种以上的物质构成。

10.如权利要求9所述的光检测元件，其特征在于：

所述膏状的物质由混合有所述玻璃类材料和半导体颗粒的膏形成。

11.一种光检测装置，具有多个光检测元件，该光检测装置的特征在于：

各所述光检测元件包括：

透光性基板；

配置在所述透光性基板上的吸收光的光吸收层；

配置在所述透光性基板上的检测电极；和

以覆盖所述光吸收层的表面的方式形成的绝缘膜，

所述检测电极的至少一部分埋入到所述光吸收层，

使光从所述透光性基板的背面入射，利用所述检测电极检测来自所述光吸收层的电流，并且，

第一光检测元件在第一透光性基板的光入射面侧具有吸收一定波长范围λ的光的第一光学滤光器，

第二光检测元件在第二透光性基板的光入射面侧具有吸收包含波长范围λ的波长范围λ1的光或者不存在光吸收域的第二光学滤光器，

通过运算所述第一光检测元件的信号和所述第二光检测元件的信号来计测波长范围λ的光量。

12.如权利要求11所述的光检测装置，其特征在于：

所述检测电极由一对电极构成，各电极具有梳形状，梳齿以规定的间隔相互咬合形成。

13.如权利要求11所述的光检测装置，其特征在于：

在照射太阳光的情况下，使表示光接收灵敏度和波长的相互关系的光接收灵敏度光谱与UV-B的CIE作用光谱近似。

14.如权利要求13所述的光检测装置，其特征在于：

所述第一光学滤光器和第二光学滤光器分别是在所述波长范围λ不发生吸收的膏状材料和吸收端不同的半导体粉末的混合物。

15.如权利要求11所述的光检测装置，其特征在于：

至少包括第三光检测元件，其具有与所述第一光学滤光器相同特性的第三光学滤光器和与所述第一光检测元件不同宽度的光电转换区域，利用所述第一光检测元件、第二光检测元件和第三光检测元件来计算波长范围λ的光量。