[发明专利]场效应细胞培养皿系统及应用

权利要求书

1.一种场效应细胞培养皿系统，由培养皿本体（1）和测量电路（2）构成，培养皿本体（1）的输出与测量电路（2）的输入连接，培养皿本体（1）由皿底座（3）和皿壁（4）组成，构成一个U型容积体，皿底座（3）上设有传感器阵列（5）、连接线（6）和参考电极（7），传感器阵列（5）包含700′700个场效应传感器（8），每个场效应传感器（8）之间相互独立，参考电极（7）暴露在U型容积体内侧的皿底座（3）表面，并用连接线（6）连到皿底座（3）边缘，连接线（6）一头与传感器阵列（5）相连接，另一头连接在皿底座（3）边缘；测量电路（2）由电源（13）、检流计（14）、参考电极（7）、寻址开关（20）和寻址控制器（21）组成，寻址开关（20）的GND端与皿底座（3）上的参考电极（7）连接，同时，参考电极（7）与场效应传感器（8）的源极（10）连在一起，寻址开关（20）的输入端分别与传感器阵列（5）所对应的场效应传感器（8）漏极（11）连接，输出端和GND端与电源（13）和检流计（14）串联连接，检流计（14）由检测电阻（22）和放大器（23）组成，并且检测电阻（22）和放大器（23）并联连接。

2.根据权利要求1所述的一种场效应细胞培养皿系统，其特征在于，所述的场效应传感器（8）由N型硅半导体衬底（9）、源极（10）、漏极（11）、SiO₂绝缘层（12）组成，它是在一块N型硅半导体衬底（9）上用光刻扩散形成两个P型半导体区，在N型硅半导体衬底（9）的一侧表面生长一层SiO₂绝缘层（12），另一侧在两个P型半导体区分别放置连接线（6），并引导到皿底座（3）的边缘。

3.根据权利要求1所述的一种场效应细胞培养皿系统，其特征在于，所述的寻址控制器（21）输出有径寻址和纬寻址两种寻址线与寻址开关（20）的控制端连接，径寻址和纬寻址的位数均为10位，其中一位为1，其余均为0，当径寻址和纬寻址为1的地址交叉在一起时，其所对应的开关就被选通。

4.根据权利要求1所述的一种场效应细胞培养皿系统，其特征在于，皿底座（3）是一块在N型硅半导体衬底（9）上设有传感器阵列（5）、连接线（6）和参考电极（7）的硅片。

5.根据权利要求1所述的一种场效应细胞培养皿系统在检测细胞膜电位中的应用。