[发明专利]一种快速响应限流保护电路有效
| 申请号： | 201210279225.6 | 申请日： | 2012-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN102769281A | 公开（公告）日： | 2012-11-07 |
| 发明（设计）人： | 郑辰光;肖飞;其他发明人请求不公开姓名 | 申请（专利权）人： | 圣邦微电子（北京）股份有限公司 |
| 主分类号： | H02H9/02 | 分类号： | H02H9/02 |
| 代理公司： | 北京海虹嘉诚知识产权代理有限公司 11129 | 代理人： | 吴小灿 |
| 地址： | 100048 北京市海淀区西*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 快速 响应 限流 保护 电路 | ||
1.一种快速响应限流保护电路，其特征在于，包括与第一MOS管即功率开关管栅极互连的第二MOS管即电流感应MOS管，所述电流感应MOS管的源极与所述功率开关管的源极直接互连，所述电流感应MOS管的漏极连接分压电路，所述分压电路连接快速响应限流开关电路。
2.根据权利要求1所述的快速响应限流保护电路，其特征在于，所述分压电路包括第二电阻即分压电阻。
3.根据权利要求1所述的快速响应限流保护电路，其特征在于，所述分压电路包括电流镜。
4.根据权利要求1所述的快速响应限流保护电路，其特征在于，所述快速响应限流开关电路包括开关管，所述开关管通过MOS管电流镜镜像电路连接驱动电路输出端，所述驱动电路输出端连接所述功率开关管的栅极。
5.根据权利要求4所述的快速响应限流保护电路，其特征在于，所述功率开关管为NMOS管，所述电流感应MOS管为NMOS管，所述开关管为PMOS管或PNP三极管，所述功率开关管的源极直接连接负载电压端口，所述功率开关管的漏极通过第一电阻即监测电阻连接电源电压端口。
6.根据权利要求4所述的快速响应限流保护电路，其特征在于，所述功率开关管为PMOS管，所述电流感应MOS管为PMOS管，所述开关管为NMOS管或NPN三极管，所述功率开关管的源极直接连接电源电压端口，所述功率开关管的漏极连接负载电压端口。
7.根据权利要求4所述的快速响应限流保护电路，其特征在于，所述驱动电路包括电荷泵。
8.根据权利要求4所述的快速响应限流保护电路，其特征在于，所述功率开关管的漏极直接连接比较器输入端的负极，所述比较器输入端的正极连接参考电位，所述比较器输出端通过第三MOS管连接所述驱动电路输出端。
9.根据权利要求8所述的快速响应限流保护电路，其特征在于，所述第三MOS管的源极接地，并通过电容连接所述第三MOS管的栅极，所述第三MOS管的漏极连接所述驱动电路输出端。
10.根据权利要求4所述的快速响应限流保护电路，其特征在于，所述驱动电路包括逻辑管电路。
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