[发明专利]一种石墨发热体加热炉内碳素材料表面制备SiC涂层的方法

权利要求书

1.一种石墨发热体加热炉内碳素材料表面制备SiC涂层的方法，其特征包括下述顺序的步骤：

(1)按照1∶1的摩尔比取适量的碳毡和SiO₂粉，碳毡中炭含量大于等于99.9％，SiO₂粉纯度大于等于99.999％，SiO₂粉粒度为200～500um；

(2)将碳毡和SiO₂粉放入浓度为3％～6％的盐酸进行酸洗，酸洗后用去离子水水洗，水洗后将碳毡把SiO₂粉包覆，放置在70～90℃的烘箱中处理2～5小时；

(3)将包覆SiO₂粉的碳毡放入石墨发热体加热炉内，密闭加热炉；

(4)将加热炉内温度升高至500～700℃，气压抽至10^-2Pa以下，升温速率为3～5℃每分钟，保持2～3小时；

(5)将加热炉温度升高至1450～1600℃，升温速率为4～8℃每分钟，保温2～6小时，停止保温，冷却后，加热炉内碳素材料表面具有碳化硅涂层。

2.根据权利要求书1所述的方法，其特征在于石墨发热体加热炉可为熔炼石英玻璃的加热炉，提炼单晶硅，单晶锗，砷化镓、磷化铟材料的加热炉。

3.根据权利要求书1所述的方法，其特征在于碳素材料部件包括石墨坩埚、石墨热场材料、炭素保温材料。