[发明专利]掺钕光纤激光器泵浦的高功率掺镱光纤激光器的方法

权利要求书

1.掺钕光纤激光器泵浦的高功率掺镱光纤激光器的方法，其特征在于，采用中心波长在808 nm左右的半导体激光器泵浦掺钕光纤，输出中心波长在920-960 nm之间的光纤激光，所利用的是中心波长为920-960 nm之间的掺钕光纤激光泵浦掺镱光纤产生中心波长为1070 nm左右的掺钕光纤激光器；再用上述掺钕光纤激光器产生的光纤激光泵浦掺镱光纤产生中心波长为1070 nm左右的光纤激光，所利用的是中心波长为920-960 nm之间的掺钕光纤激光器产生的光纤激光泵浦掺镱光纤产生中心波长为1070 nm左右的光纤激光器，或者所里利用的是中心波长为920-960 nm之间的掺钕光纤激光器产生的光纤激光泵浦掺镱光纤产生中心波长为1070 nm左右的激光放大器。

2.根据权利要求1所述的掺钕光纤激光器泵浦的高功率掺镱光纤激光器的方法，其特征在于，中心波长在808 nm左右的半导体激光器中的中心波长808nm，正负10nm。

3.根据权利要求1所述的掺钕光纤激光器泵浦的高功率掺镱光纤激光器的方法，其特征在于，产生中心波长为1070 nm左右的光纤激光，1070nm左右，指1030 nm 到1120 nm。

4.根据权利要求1所述的掺钕光纤激光器泵浦的高功率掺镱光纤激光器的方法，其特征在于，所述中心波长为920-960 nm之间的掺钕光纤激光泵浦掺镱光纤产生中心波长为1070 nm左右的掺钕光纤激光器结构为：在N台中心波长为808 nm左右的半导体激光器后面为1台中心波长在808 nm的N×1泵浦合束器Ⅰ，N×1泵浦合束器Ⅰ连接光纤光栅Ⅰ，光纤光栅Ⅰ连接掺钕光纤，掺钕光纤连接光纤光栅Ⅱ，N台半导体激光器与泵浦合束器Ⅰ之间、泵浦合束器Ⅰ与光纤光栅Ⅰ之间、光纤光栅Ⅰ与掺钕光纤之间、掺钕光纤与光纤光栅Ⅱ之间均采用熔接的方式连接。

5.根据权利要求1所述的掺钕光纤激光器泵浦的高功率掺镱光纤激光器的方法，其特征在于，所述中心波长为920-960 nm之间的掺钕光纤激光器产生的光纤激光泵浦掺镱光纤产生中心波长为1070 nm左右的光纤激光器结构为：N台掺钕光纤激光器产生的中心波长为920-960 nm之间左右的掺钕光纤激光其后为中心波长在940 nm的N×1泵浦合束器Ⅱ，泵浦合束器Ⅱ之后为光纤光栅Ⅲ，光纤光栅Ⅲ之后为掺镱光纤，掺镱光纤后为光纤光栅Ⅳ，其中，N个掺钕光纤激光器与泵浦合束器Ⅱ之间，泵浦合束器Ⅱ与光纤光栅Ⅲ之间，光纤光栅Ⅲ与掺镱光纤之间，掺镱光纤与光纤光栅Ⅳ之间均采用熔接的方式加以连接。

6.根据权利要求1所述的掺钕光纤激光器泵浦的高功率掺镱光纤激光器的方法，其特征在于，所述中心波长为920-960 nm之间的掺钕光纤激光器产生的光纤激光泵浦掺镱光纤产生中心波长为1070 nm左右的激光放大器结构为：在N台掺钕光纤激光器产生的中心波长为940 nm左右的光纤激光，和1台中心波长为1070 nm左右的激光器（31）输出的激光之后为（N+1）×1泵浦合束器Ⅲ33，泵浦合束器Ⅲ之后为掺镱光纤，掺镱光纤之后为光纤帽，其中，N台掺钕光纤激光器与泵浦合束器Ⅲ之间，激光器（31）与泵浦合束器Ⅲ之间，掺镱光纤与光纤帽之间均采用熔接的方式加以连接。

7.根据权利要求6所述的掺钕光纤激光器泵浦的高功率掺镱光纤激光器的方法，其特征在于，所述中心波长为1070 nm左右的激光器（31）结构为：N台中心波长为915 nm-975 nm半导体激光器其后为中心波长与N台半导体激光器一致的N×1泵浦合束器Ⅳ（36），泵浦合束器Ⅳ之后为光纤光栅Ⅴ，光纤光栅Ⅴ之后为掺镱光纤，掺镱光纤之后为光纤光栅Ⅵ，其中N台半导体激光器与泵浦合束器Ⅳ之间，泵浦合束器Ⅳ与光纤光栅Ⅴ之间，光纤光栅Ⅴ与掺镱光纤之间，掺镱光纤与光纤光栅Ⅵ之间均采用熔接的方式加以连接。