[发明专利]晶体材料切割用固定胶及其制备方法

说明书

技术领域

本发明属于固定胶技术领域，特别提供一种晶体材料切割用固定胶及其制备方法。

背景技术

晶体材料切割是整个太阳能行业的上游企业，晶体材料切割用固定胶对晶体材料产业有着很重要的作用。现有技术中，晶体材料的切割，是将晶体材料横向用切割胶粘接在玻璃上;然后，采用线切割机进行切割，在切割完成后，将玻璃和切割完成后的晶片放入温水或乳酸溶液浸泡，使其从玻璃中脱落分离。

但是，晶体材料切割用固定胶，仍然存在着众多的问题，如：调胶时不易混均，涂胶时铺展性不好；发生掉片、崩边多、抗结晶性能差，所切割的产品不良率高；固化时间长，要待涂胶后6~８小时以上才能进入切割环节；在脱胶过程中须用70℃热水浸泡30分钟以上，用乳酸溶液浸泡15分钟以上才彻底脱胶，从而不能满足晶硅材料切割生产过程的需要。为此，人们不断地对晶体材料特别是多晶硅片切割用固定胶的配方进行研究，以期获得性能更好的产品，来满足晶片材料切割上应用。

发明内容

针对现有技术的缺陷，本发明提供一种可提升铺展性且缩短固化及脱胶时间的晶体材料切割用固定胶及其制备方法。

为了实现上述目的，本发明通过如下的技术方案来实现的：

一种晶体材料切割用固定胶，包括有A组份和B组份，该A组份与B组份按质量比1:0.5~1进行混合，其中：

A组份按质量百分比100%计，包括：双酚A型环氧树脂 30~60%，邻甲酚醛环氧树脂2~10%，钙质填充料20~50%、端羟基丁腈橡胶5~20%、偶联剂0.1~5%、消泡剂0.1~1%、色剂0.01~0.3%；

B组份：按质量百分比100%计，包括：聚硫醇树脂30~60%，聚酰胺树脂2~10%、活化剂0.5~5%、脱胶缓释剂0.5~1%、钙质填充料20~50%、消泡剂0.5~1%；

所述钙质填充料为无水氧化钙、无水硫酸钙、无水氧化钙中的一种或几种，所述钙质填充料在脱胶过程中，可吸收大量的水分，使得固定胶易于从晶体材料上脱落。

所述偶联剂为硅烷偶联剂；该硅烷偶联剂为KH550、KH560、KH570中的一种或几种。 

所述活化剂为三乙胺、二甲基苄胺、DMP-30、三乙醇胺中的一种或几种；该DMP-30为2,4,6-三（二甲胺基甲基）苯酚。

所述脱胶缓释剂为离子型表面活性剂。

所述离子型表面活性剂为卵磷脂、脂肪酸盐、季铵盐中的一种或几种。

上述晶体材料切割用固定胶的制备方法，分别制备A组份和B组份，其中：

A组份的制备：按质量比100%计，先将双酚A型环氧树脂30~60% 、邻甲酚醛环氧树脂2~10%和端羟基丁腈橡胶5~20%投入到反应釜，再加入偶联剂0.1~5%、消泡剂0.1~1%和色剂0.01~0.3%进行搅拌，最后投入钙质填充料20~50%搅拌；

B组份的制备：先将聚硫醇树脂30~60%、聚酰胺树脂2~15%、活化剂0.5~5%和脱胶缓释剂0.5~1%投入反应釜中，再加入消泡剂0.5~1%进行搅拌，最后加入填充料20~50%进行搅拌；

由以上所制得的A组份和B组份材料按质量比1:0.5~1均匀混合即制得晶体材料切割用固定胶。

本发明与现有技术相比具有明显的优点和有益效果，本发明所制得的晶体材料切割用固定胶，在调胶时容易混均，涂胶时铺展性好，抗结晶性能好，不易发生掉片、崩边等现象，所切割的产品质量好，良品率高；尤其是该固定胶固化和脱胶时间短，从而大大提高晶体材料切割效率。

具体实施方式：

一种晶体材料切割用固定胶，其分别制备A组份和B组份，其中A组份是先将双酚A型环氧树脂30~60%、邻甲酚醛环氧树脂2~10%和端羟基丁腈橡胶5~20%投入到反应釜，设定加热温度为50～100℃，搅拌20～60分钟，再加入偶联剂0.1~5%、消泡剂0.1~1%和色剂0.01~0.3%进行搅拌10～30分钟，最后投入填充料20~50%搅拌30～60分钟；抽真空，降温，出料；B组份是先将聚硫醇树脂30~60%、聚酰胺树脂2~10%、活化剂0.5~5%和脱胶缓释剂0.5~1%投入反应釜中，温度控制在50～100℃，进行搅拌20～60分钟；再加入消泡剂0.5~1%反应20～40分钟，最后加入填充料20~50%进行反应10～30分钟，抽真空，降温，出料。藉此，由上述所制得的A组份和B组份材料按质量比1:0.5~1均匀混合即制得晶体材料切割用固定胶，用于涂覆待切割的晶体材料上。