[发明专利]晶体振子和晶体振荡器无效
申请号: | 201210265520.6 | 申请日: | 2012-07-27 |
公开(公告)号: | CN102904544A | 公开(公告)日: | 2013-01-30 |
发明(设计)人: | 小山光明;加贺见俊彦;松元健;武藤猛;石川学;佐藤信一 | 申请(专利权)人: | 日本电波工业株式会社 |
主分类号: | H03H9/02 | 分类号: | H03H9/02;H03H3/02 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶体 晶体振荡器 | ||
1.一种晶体振子,其特征在于,具备:
设置于晶体片上的第一振动区域;
第二振动区域,其设置于所述晶体片上,该第二振动区域的厚度和X轴的正负的朝向与第一振动区域不同;和
激励电极,其分别设置于第一振动区域和第二振动区域,用于使各振动区域独立振动。
2.如权利要求1所述的晶体振子,其特征在于:
在所述晶体片在第一振动区域和第二振动区域之间形成有凹部。
3.如权利要求1所述的晶体振子,其特征在于:
第一振动区域和第二振动区域中的一方为被AT切割而成的区域。
4.一种晶体振荡器,其特征在于:
包含权利要求1所述的晶体振子。
5.如权利要求4所述的晶体振荡器,其特征在于,具备:
控制单元,其通过基于第二振动区域的振荡频率来控制用于使第一振动区域振荡的控制电压,从而控制该第一振动区域的振荡频率。
6.一种晶体振荡器,其特征在于,具备:
设置于晶体片的第一振动区域;
第二振动区域,其设置于所述晶体片上,X轴的正负的朝向与第一振动区域不同;
激励电极,其分别设置于第一振动区域和第二振动区域,用于使各振动区域独立振动;
用于使第一振动区域振荡的第一振荡电路;
用于使第二振动区域振荡的第二振荡电路;和
控制单元,其基于第二振动区域的振荡频率来推定所述晶体片的温度,并基于推定的该温度来控制来自第一振荡电路的振荡频率。
7.如权利要求6所述的晶体振荡器,其特征在于:
在所述晶体片,在与第一振动区域和第二振动区域不同的区域设置有滤波器形成区域,该滤波器形成区域构成被输入来自第一振荡电路的信号的滤波器。
8.如权利要求7所述的晶体振荡器,其特征在于:
所述第一振动区域和所述滤波器形成区域通过第二振动区域被划分。
9.如权利要求6所述的晶体振荡器,其特征在于:
所述激励电极以遍及第一振动区域和第二振动区域的方式形成。
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