[发明专利]石墨烯层的形成方法

权利要求书

1.一种石墨烯层的形成方法，包括：

将基板置入电子回旋共振装置的腔室后，将该腔室抽真空；

将含碳气体通入该腔室中，使该含碳气体的压力介于10^-2torr至10^-4torr之间；

加热该基板，使该基板温度介于100℃至600℃之间；以及

以微波及辅以电子回旋共振机制激发该含碳气体，以沉积石墨烯层于该基板上。

2.根据权利要求1所述的石墨烯层的形成方法，其中该电子回旋共振装置具有单一微波源以提供该微波。

3.根据权利要求1所述的石墨烯层的形成方法，其中该电子回旋共振装置具有双微波源或多个微波源以提供该微波。

4.根据权利要求2所述的石墨烯层的形成方法，其中所沉积的该石墨烯层的面积介于1cm×1cm至30cm×30cm之间。

5.根据权利要求3所述的石墨烯层的形成方法，其中所沉积的该石墨烯层的宽度大于1cm，长度大于1cm。

6.根据权利要求1所述的石墨烯层的形成方法，其中该电子回旋共振装置具有多个微波源以提供该微波，且该石墨烯层的面积介于1cm×1cm至300cm×300cm之间。

7.根据权利要求1所述的石墨烯层的形成方法，其中该电子回旋共振装置成长线型电子回旋共振，具有一个或二个微波源提供微波，且该石墨烯层的宽度小于2m。

8.根据权利要求1所述的石墨烯层的形成方法，其中该含碳气体为碳氢化合物。

9.根据权利要求1所述的石墨烯层的形成方法，其中该含碳气体包括甲烷、乙烯、乙炔、或上述的组合。

10.根据权利要求1所述的石墨烯层的形成方法，其中将该含碳气体通入该腔室中的步骤前、步骤中、和/或步骤后，进一步包括将钝气与氢气通入该腔室中，该钝气的压力介于10^-2torr至10^-4torr之间，且该氢气的压力介于10^-2torr至10^-4torr之间。

11.根据权利要求1所述的石墨烯层的形成方法，其中该钝气包括氩气、氦气、或上述的组合。

12.根据权利要求1所述的石墨烯层的形成方法，其中该含碳气体被激发后所形成的含碳电浆密度介于10¹⁰个离子/cm³至10¹²个离子/cm³之间。

13.根据权利要求1所述的石墨烯层的形成方法，其中将该基板置入该电子回旋共振装置的腔室前，进一步包括先形成薄膜于该基板表面上，且该薄膜包括碳化硅。