[发明专利]一种半弧形Bi2Se3超薄纳米片的制备方法有效
| 申请号： | 201210264930.9 | 申请日： | 2012-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN102807195A | 公开（公告）日： | 2012-12-05 |
| 发明（设计）人： | 杨峰;黎颖;赵勇 | 申请（专利权）人： | 西南交通大学 |
| 主分类号： | C01B19/04 | 分类号： | C01B19/04;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 成都信博专利代理有限责任公司 51200 | 代理人： | 张澎 |
| 地址： | 610031 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 弧形 bi sub se 超薄 纳米 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半弧形Bi2Se3超薄纳米片的制备方法，采用液相沉淀法，其具体作法是：
a、配制混合溶液
分别称量0.1-1mmol Bi(NO)3·5H2O，0.5-1.5mmol Se，1mmol Na2SO3,将其混合后放入高压釜内衬，在高压釜内衬中加入80mL乙醇，用玻璃棒搅拌越5min；
b、水热反应
封闭高压釜后，将其放入箱式炉加热至200°C，12h，待自然冷却后取出；
c、离心过滤
将b步反应后所得的溶液超声震荡5-8分钟，1000转/分离心过滤，将滤液于80°C下干燥得灰黑色产物，即为半弧形Bi2Se3超薄纳米片。
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