[发明专利]套刻精度的检测方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体光刻工艺，且特别涉及套刻精度的检测方法。

背景技术

在半导体工艺中，光刻是至关重要的一步，通过光刻的对准、曝光等一系列步骤，能够实现将掩模图形转移到晶圆上的工艺过程。通常，在形成半导体芯片的过程中，需要进行多层光刻工艺才能完成整个制造过程。这就使得当前光刻图形与前层光刻图形的位置对准变得尤为重要。套刻精度就是指晶圆的层与层的光刻图形的位置对准误差。

目前，有多种关于套刻精度的测量及控制方法，例如申请号为200510111412、名称为“测量光刻套刻精度的标尺和方法”的中国专利申请提到一种传统的测量图形，即套刻盒记号（boxmark），该套刻盒记号通过由内框和外框两个具有相同中心且相互平行的边的正方形构成，通过比较左右边框的坐标差来获得套刻偏移量，并判断两层光刻之间的对准是否符合要求；又例如，专利号为ZN200810043750、名称为“提高光刻套刻精度的方法”的中国专利公开了一种采用在硅片上旋涂填充层的方法，以实现在进行多层光刻时，提高层与层之间套刻精度的方法。

然而在现有技术中的多种套刻精度的测量和控制方法中，不可避免的需要对套刻精度的原始数据（recipe）进行设定，以便作为进行比对的参考值，这需要工程师每完成一层光刻，都要在测定机的光学显微镜下，对每一个套刻标记（mark）进行人工捕获并比对标记，以便于测量和评估套刻是否准确。这一设定过程不仅耗费大量人力和物力，也经常容易由于工程师的遗漏给后续工艺造成误差，影响产品良率。

发明内容

本发明提供了一种套刻精度的检测方法，提高了套刻精度的检测效率和准确度，减少了由于对套刻标记进行人工查找和标注而导致的产品良率的降低。

为了实现上述技术目的，本发明提出一种套刻精度的检测方法，其中，包括：获取预定图案的第一基准坐标值和第二基准坐标值；分别获取预定图案所对应的实际坐标值和预定坐标值；分别计算所述实际坐标值与所述第一基准坐标值的实际差值，以及所述预定坐标值与所述第二基准坐标值之间的预定差值；将所述实际差值与预定差值进行比较，实现对套刻精度的检测。

可选的，所述第一基准坐标值为预定图案在特定光刻层所对应的坐标值，所述第二基准坐标值为预定图案在该特定光刻层对应的掩模版上的坐标值。

可选的，所述特定光刻层为有源区光刻层。

可选的，所述实际坐标值为预定图案在需要检测套刻精度的层所对应的坐标值，所述预定坐标值为预定图案在与待测层对应的掩模版上的坐标值。

可选的，所述预定图案为套刻标记。

可选的，所述将实际差值与预定差值进行比较以实现对套刻精度的检测包括：当所述实际差值与所述预定差值一致时，则套刻精度无误差。

相比于现有技术，本发明所提供的套刻精度的检测方法，避免了对每一个具体的套刻标记进行标注，节省了大量的人力和时间，也减少了由于标注遗漏或错误而带来的误差。

附图说明

图1为本发明套刻精度的检测方法一种实施方式的流程示意图。

具体实施方式

在传统套刻精度的检测方法中，每完成每一层光刻，都必须借助于显微镜对每一个具体的套刻标记进行人工标注，从而花费大量人力和时间。

发明人发现，在进行每一层光刻时，当前光刻图形的实际坐标值会自动加载套刻精度的当前数据中，通过将实际坐标与第一基准坐标的差值和掩模版中的预定坐标值与第二基准坐标的差值进行对比，并进而判断套刻标记的位置是否准确，从而可完成对套刻精度的检测。

下面将结合具体实施例和附图，对本发明套刻精度的检测方法进行详细阐述。

参考图1，在一种实施方式中，本发明套刻精度的检测方法包括：

步骤S1，获取预定图案的第一基准坐标值和第二基准坐标值；

步骤S2，分别获取预定图案所对应的实际坐标值和预定坐标值；

步骤S3，分别计算所述实际坐标值与所述第一基准坐标值的实际差值，以及所述预定坐标值与所述第二基准坐标值之间的预定差值；

步骤S4，将所述实际差值与预定差值进行比较，实现对套刻精度的检测。