[发明专利]一种多孔氧化锡膜型室温气敏元件及其制备方法

权利要求书

1.一种多孔氧化锡膜型室温气敏元件的制备方法，其特征在于，包括下述步骤：

S1配制悬浮液：以丙酮或乙酰丙酮为溶剂将氧化锡纳米粉体配制成悬浮液，在所述悬浮液中加入碘溶液搅拌后进行超声分散；

S2电泳沉积成膜：对超声分散后的悬浮液进行电泳沉积处理，获得疏松多孔的纳米晶氧化锡膜；

S3热处理：对所述纳米晶氧化锡膜进行热处理；

S4制作表面电极：在经热处理后的纳米晶氧化锡膜表面制作电极获得氧化锡膜型室温气敏元件。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤S1中所述悬浮液中SnO₂的浓度为30~90g/L，碘的质量分数为0.2~0.4%。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤S2具体为：以ITO导电玻璃作为电泳沉积的阳极和阴极，所述阴极的ITO导电玻璃的端部ITO层被腐蚀去除并形成绝缘部分，在阴阳电极两端加直流电压经电泳沉积后在所述阴极的ITO导电玻璃上获得所述疏松多孔的纳米晶氧化锡膜。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述在阴阳电极两端加直流电压是在室温下进行的。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤S3之前还包括自然干燥步骤：将电泳沉积后获得的纳米晶氧化锡膜自然干燥。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤S3中热处理是在300~500℃进行的。

7.如权利要求3所述的方法，其特征在于，步骤S4具体为：在经热处理后的纳米晶氧化锡膜表面蒸镀一层叉指银电极，并将所述电极的两端引至所述ITO导电玻璃的所述绝缘部分。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤S1之前还包括制备氧化锡纳米粉体步骤：将锡和硝酸溶液升温至50~70℃并搅拌后获得β-锡酸沉淀物；用去离子水反复洗涤所述β-锡酸沉淀物至上层清液溶液pH值为6~7，将所述β-锡酸沉淀物烘干并研磨成粉末状锡酸，将所述粉末状锡酸烧结后获得氧化锡纳米粉体。

9.一种采用权利要求1-8任一项所述的制备方法获得的氧化锡膜型室温气敏元件，其特征在于，包括：玻璃、附着于所述玻璃表面的ITO导电层、沉积于所述ITO导电层表面的氧化锡膜以及附着于所述氧化锡膜上的电极；所述玻璃端部的ITO导电层被腐蚀去除。

10.如权利要求9所述的氧化锡膜型室温气敏元件，其特征在于，所述电极为叉指型电极。