[发明专利]保护元件及应用此保护元件的保护装置有效

专利信息
申请号: 201210261594.2 申请日: 2012-07-26
公开(公告)号: CN102956414A 公开(公告)日: 2013-03-06
发明(设计)人: 叶信贤;林鸿钦;陈聪文;邓文浩 申请(专利权)人: 财团法人工业技术研究院
主分类号: H01H85/12 分类号: H01H85/12;H02H7/18
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 陈小雯
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 保护 元件 应用 保护装置
【权利要求书】:

1.一种保护元件,包括:

封装基材;

第一熔断单元,设于该封装基材内,该第一熔断单元具有第一熔断作用区;

第二熔断单元,设于该封装基材内,该第二熔断单元具有第二熔断作用区,其中该第一与第二熔断作用区相邻设置;以及

第一内埋孔洞,对应于该第一熔断作用区以及该第二熔断作用区而设于该封装基材内,用以当该第一和该第二熔断作用区其中之一发生熔断时,辅助熔断所产生的能量将另一熔断作用区截断。

2.如权利要求1所述的保护元件,还包括隔板,设于该封装基材内;其中该第一熔断单元设置于该隔板上。

3.如权利要求2所述的保护元件,其中该隔板对应于该第一与第二熔断作用区的部分还形成一弱化缺陷,用以当该第一与第二熔断作用区其中之一发生熔断时,加速该隔板的断裂。

4.如权利要求1所述的保护元件,其中该第一熔断作用区曝露于该第一内埋孔洞中。

5.如权利要求1所述的保护元件,还包括第二内埋孔洞,对应于该第一与第二熔断作用区且与该第一内埋孔洞上下交错地设于该封装基材内。

6.如权利要求5所述的保护元件,其中该第一与第二熔断作用区均曝露于该第二内埋孔洞中。

7.如权利要求5所述的保护元件,还包括高挥发性材料层,将曝露于该第二内埋孔洞中的该第二熔断单元的一部分或全部加以掩盖。

8.如权利要求5所述的保护元件,其中该第一熔断作用区曝露于该第一内埋孔洞中;该第二熔断作用区曝露于该第二内埋孔洞中。

9.如权利要求2所述的保护元件,其中该第一熔断作用区曝露于该第一内埋孔洞中;该第二熔断单元设置于该第一熔断单元于该隔板所设位置的背面。

10.如权利要求1所述的保护元件,还包括第二内埋孔洞;该第一与该第二内埋孔洞包夹该第一与第二熔断作用区而设置于该封装基材。

11.如权利要求10所述的保护元件,还包括第一及第二弱化缺陷,分别设于该第一及该第二内埋孔洞中靠近该第一与第二熔断作用区的位置。

12.如权利要求10所述的保护元件,其中该第一内埋孔洞设置于该第一熔断单元上且使该第一熔断作用区在该第一内埋孔洞的底部露出;该第二内埋孔洞设置于该第一熔断单元之下且使该第二熔断作用区在该第二内埋孔洞的顶部或底部露出。

13.如权利要求12所述的保护元件,还包括高挥发性材料层,将曝露于该第二内埋孔洞中的该第二熔断作用区的一部分或全部加以掩盖。

14.如权利要求1所述的保护元件,还包括隔板,设于该封装基材内;其中该第一熔断作用区以及该第二熔断作用区曝露于该第一内埋孔洞中,该第一熔断作用区设置于该隔板上。

15.如权利要求14所述的保护元件,其中该隔板还包括弱化缺陷,用以当该第一与第二熔断作用区其中之一发生熔断时,加速该隔板的断裂。

16.如权利要求14所述的保护元件,还包括高挥发性材料层,将曝露于该第一内埋孔洞中的该第一与第二熔断作用区的一部分或全部加以掩盖。

17.如权利要求1所述的保护元件,还包括第一、第二及第三端电极设置于该封装基材内;

其中该第一熔断单元的第一及第二端延伸出该封装基材外而分别与该第一及该第二端电极电连接;该第二熔断单元的第一端延伸出该封装基材外而与该第三端电极电连接,该第二熔断单元的第二端选择性地与该第一及该第二端电极其中之一构成电连接。

18.一种保护装置,包括:

如权利要求1所述的保护元件,该保护元件还包括:

第一端电极,与该第一熔断单元的第一端电连接,用以接收至少一电压源所提供的电力;

第二端电极,与该第一熔断单元的第二端电连接,用以将该电力提供至一负载装置;以及

第三端电极,与该第二熔断单元的第一端电连接;其中该第二熔断单元的第二端选择性地与该第一及第二端电极其中之一电连接;

感测单元,耦接该保护元件与该负载装置,当侦测到该电力高于预设值,输出一保护信号;以及

开关元件,耦接该第三端电极与一参考电位节点之间,当接收到该保护信号时即导通而将原提供至该负载的该电力旁路至该参考电位节点。

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