[发明专利]低功耗高精度热量表有效

专利信息
申请号: 201210260177.6 申请日: 2012-07-25
公开(公告)号: CN102810226A 公开(公告)日: 2012-12-05
发明(设计)人: 郑圣良;王浩;黄迎胜;陈阳权;郑耀;孙强强;吉建平 申请(专利权)人: 杭州富阳仪表总厂;杭州中导科技开发有限公司
主分类号: G07F15/06 分类号: G07F15/06
代理公司: 杭州求是专利事务所有限公司 33200 代理人: 杜军
地址: 311402 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 功耗 高精度 量表
【权利要求书】:

1.低功耗高精度热量表,包括电源模块、按键控制模块、存储模块、阀门控制模块、读写卡模块、红外通信模块、MCU处理控制模块、韦根信号采集模块、温度测量模块和液晶显示模块,其特征在于:韦根信号采集模块采集管道中的流量信息,韦根信号采集模块的输出端与MCU处理控制模块的I/O口信号连接;温度测量模块采集分别采集进水温度和回水温度;按键控制模块的输出端与MCU处理控制模块的I/O口信号连接;液晶显示模块的输入端与MCU处理控制模块的I/O口信号连接;温度测量模块、存储模块、阀门控制模块、读写卡模块和红外通信模块分别与MCU处理控制模块的I/O口信号连接;电源模块为按键控制模块、阀门控制模块、读写卡模块、MCU处理控制模块和韦根信号采集模块提供电源。

2.根据权利要求1所述的低功耗高精度热量表,其特征在于:所述的电源模块包括稳压模块和掉电检测模块,外部输入的电压经稳压模块后输出3.0V电压,当外部输入的电压低于2.0V时,掉电检测模块发送信号给MCU处理控制模块;

所述的稳压模块包括第一接插件J1、第一二极管D1、法拉电容E1、第一电解电容E2、第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3、第四电容C4、第五电容C5、第六电容C6、稳压芯片U2;

第一接插件J1的1脚接地、第一二极管D1的阳极通过第一接插件J1的2脚接外部输入电压;第一二极管D1的阴极分别与法拉电容E1的正极、稳压芯片U2的3脚连接,稳压芯片U2的2脚接第一电解电容E2的正极,该脚输出3.0V电压;法拉电容E1的负极、稳压芯片U2的1脚、第一电解电容E2的负极均接地;第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3、第四电容C4、第五电容C5和第六电容C6并联在第二稳压芯片U2的2脚和地之间;所述的稳压芯片U2型号为BL8064-3.0;

所述的掉电检测模块包括掉电检测芯片U3,掉电检测芯片U3的2脚接外部输入的电压,掉电检测芯片U3的3脚接地,掉电检测芯片U3的1脚接MCU芯片U1的13脚;所述的掉电检测芯片U3的型号为BL8506-2.0。

3.根据权利要求1所述的低功耗高精度热量表,其特征在于:所述的阀门控制模块包括第二接插件J2、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6、第一MOS管Q1、第二MOS管Q2、第三MOS管Q3、第四MOS管Q4、第五MOS管Q5、第七电容C7和第八电容C8;

第一电阻R1的一端与MCU芯片U1的19脚连接,第一电阻R1的另一端分别与第一MOS管Q1的栅极、第三MOS管Q3的栅极连接;

第二电阻R2的一端与MCU芯片U1的32脚连接,第二电阻R2的另一端分别与第二MOS管Q2的栅极、第四MOS管Q4的栅极连接;

第三MOS管Q3的源极、第四MOS管Q4的源极接地,第三MOS管Q3的漏极与第一MOS管Q1的漏极连接,第四MOS管Q4的漏极与第二MOS管Q2的漏极连接;第一MOS管Q1的源极分别与第二MOS管Q2的源极、第五MOS管Q5的源极、第五电阻R5的一端、第六电阻R6的一端连接,第五电阻R5的另一端通过第二接插件J2的3脚与MCU芯片U1的28脚连接,第六电阻R6的另一端通过第二接插件J2的2脚与MCU芯片U1的29脚连接;

第五MOS管Q5的栅极与第四电阻R4的一端连接,第五MOS管Q5的漏极、第三电阻R3的一端均接3.0V电压,第四电阻R4的另一端、第三电阻R3的另一端、第七电容C7的一端均与MCU芯片U1的18脚连接,第七电容C7的另一端接地;

第八电容C8的一端与第三MOS管Q3的漏极、第一MOS管Q1的漏极连接,第八电容C8的另一端与第四MOS管Q4的漏极、第二MOS管Q2的漏极连接;第三MOS管Q3的漏极、第一MOS管Q1的漏极通过第二接插件J2的5脚还与直流电机的一个输入端连接,第四MOS管Q4的漏极、第二MOS管Q2的漏极通过第二接插件J2的4脚还与直流电机的另一个输入端连接,第二接插件J2的1脚接地,所述的直流电机用于驱动阀门的开关,其型号为RF-300。

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