[发明专利]应用于离子迁移谱探测仪的半导体加热离子迁移管结构

说明书

技术领域

本发明涉及离子迁移谱技术领域，特别涉及离子迁移谱探测技术领域，具体是指一种应用于离子迁移谱探测仪的半导体加热离子迁移管结构。

背景技术

离子迁移谱探测技术在微量痕迹检测领域有着广泛应用。尤其是便携式离子迁移谱探测仪在公共安检场合发挥着其独特的优势。离子迁移管是其中的一个关键部件，其性能的好坏决定着离子迁移谱探测仪性能的优劣。对离子迁移管的加热方式及其温度稳定性的控制，直接关系着离子迁移谱探测仪的电源配备和连续使用时间的长短。

传统的离子迁移管加热方法是，通过包裹在离子管外面的电加热膜片3对离子管加热的。其结构如图1所示。离子迁移管的热量传递路线是：从电加热膜片3传导给离子管金属管体2，再由金属管体2传导给其内的陶瓷绝缘层1，以达到给离子迁移管管腔4加温的目的。由于电加热膜片3不可能完全紧贴在离子迁移管金属管体2表面，因而热量从电加热膜片3传导到离子迁移管金属管体2的过程中存在着一定的损耗。再则，离子迁移管金属管体2上还分布着若干安装联接用的结构要素，对离子迁移管金属管体2的保温措施不可能很完善。所以暴露在外的离子迁移管金属管体2又有一部分散热的损耗。上述两点主要损耗因素的存在，决定了采用电加热膜片加热方式的热传导效率比较低。

另外，受电加热膜片3自身结构中粘接胶体耐热性能的制约，电加热膜片3最高工作温度在200℃左右。这就使得在离子迁移管进行清洗程序时，因为腔内温度不够高，必须花更长的清洗时间。

发明内容

本发明的目的是克服了上述现有技术中的缺点，提供一种利用热喷涂工艺在离子迁移管的陶瓷管体上喷涂半导体电热膜，从而大幅提升离子迁移管的电热转换效率，进而降低离子迁移管探测仪的整体所需电能，同时，半导体电热膜本身的工作温度可达300℃以上，在清洗离子迁移管时，能有效缩短所需时间，且结构简单，成本低廉，应用范围较为广泛的应用于离子迁移谱探测仪的半导体加热离子迁移管结构。

为了实现上述的目的，本发明的应用于离子迁移谱探测仪的半导体加热离子迁移管结构具有如下构成：

该应用于离子迁移谱探测仪的半导体加热离子迁移管结构包括陶瓷绝缘管体和包围于所述的陶瓷绝缘管体中的管腔，且所述的陶瓷绝缘管体外覆盖有半导体电热膜。

该应用于离子迁移谱探测仪的半导体加热离子迁移管结构中，所述的半导体电热膜为氧化锡半导体电热膜。

该应用于离子迁移谱探测仪的半导体加热离子迁移管结构中，所述的半导体电热膜通过热喷涂工艺喷涂形成于所述的陶瓷绝缘管体外表面。

该应用于离子迁移谱探测仪的半导体加热离子迁移管结构中，所述的陶瓷绝缘管体的两端还分别设置有两个金属环，所述的半导体加热离子迁移管结构通过所述的两个金属环固定连接于所述的离子迁移谱探测仪的结构部件。

该应用于离子迁移谱探测仪的半导体加热离子迁移管结构中，所述的两个金属环分别焊接固定于所述的陶瓷绝缘管体的两端。

该应用于离子迁移谱探测仪的半导体加热离子迁移管结构中，所述的半导体电热膜覆盖于所述的两个金属环之间的陶瓷绝缘管体外表面上。

采用了该发明的应用于离子迁移谱探测仪的半导体加热离子迁移管结构，由于其包括陶瓷绝缘管体和包围于所述的陶瓷绝缘管体中的管腔，且所述的陶瓷绝缘管体外覆盖有半导体电热膜。利用该半导体电热膜能够大幅提升离子迁移管的电热转换效率，进而降低离子迁移管探测仪的整体所需电能，同时，半导体电热膜本身的工作温度可达300℃以上，在清洗离子迁移管时，能有效缩短所需时间。且本发明的应用于离子迁移谱探测仪的半导体加热离子迁移管结构，其结构简单，成本低廉，应用范围也较为广泛。

附图说明

图1传统的离子迁移管的层结构示意图。

图2为本发明的应用于离子迁移谱探测仪的半导体加热离子迁移管结构示意图。

具体实施方式

为了能够更清楚地理解本发明的技术页面，特举以下实施例详细说明。

请参阅图2所示，为本发明的应用于离子迁移谱探测仪的半导体加热离子迁移管结构示意图。

在一种实施方式中，该应用于离子迁移谱探测仪的半导体加热离子迁移管结构包括陶瓷绝缘管体1和包围于所述的陶瓷绝缘管体1中的管腔4，且所述的陶瓷绝缘管体外覆盖有半导体电热膜5。所述的半导体电热膜5通过热喷涂工艺喷涂形成于所述的陶瓷绝缘管体1的外表面的氧化锡半导体电热膜5。