[发明专利]射频宽带高功率电子管放大器3/4λ波长输出谐振腔有效

专利信息
申请号: 201210257020.8 申请日: 2012-07-23
公开(公告)号: CN102856623A 公开(公告)日: 2013-01-02
发明(设计)人: 魏世东;高岷民;余才军;文睿;邵炫;姜勇 申请(专利权)人: 北京长峰广播通讯设备有限责任公司
主分类号: H01P7/06 分类号: H01P7/06;H01J23/207
代理公司: 工业和信息化部电子专利中心 11010 代理人: 梁军
地址: 100854 北京*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 射频 宽带 功率 电子管 放大器 波长 输出 谐振腔
【说明书】:

技术领域

发明涉及谐振腔技术领域,特别是涉及一种射频宽带高功率电子管放大器3/4λ波长输出谐振腔。

背景技术

在现有技术中,输出谐振腔的常规技术方案为1/4λ短路谐振腔+耦合电容的结构,这种结构的输出谐振腔的电子管分布参数对高频率1/4λ波长尺寸的限制,所以难以实现大功率传输,从而不能满足大于70MHz频率以上的射频输出功率的要求。

发明内容

本发明提供一种射频宽带高功率电子管放大器3/4λ波长输出谐振腔,以解决现有技术不能满足大于70MHz频率以上的射频输出功率的要求的问题。

本发明提供一种种射频宽带高功率电子管放大器3/4λ波长输出谐振腔,用于为射频宽带高功率电子管放大器输出回路进行调谐调配,包括:谐振腔内导体、谐振腔外导体、输出耦合电容、输出耦合电容调谐装置、射频输出同轴馈线、同轴薄膜隔直电容、谐振腔短路腔板、以及谐振腔短路腔板调谐装置;谐振腔内导体与谐振腔外导体为同轴结构;在谐振腔内导体和谐振腔外导体之间的谐振腔内设置有谐振腔短路腔板,谐振腔短路腔板用于根据射频功率输出的频率对谐振腔进行调谐;谐振腔短路腔板调谐装置与谐振腔短路腔板相连接,用于调节谐振腔短路腔板的位置;谐振腔内导体通过底部的同轴薄膜隔直电容与电子管放大器的阳极相连接,用于对电子管放大器发送的射频功率进行传输;输出耦合电容设置于谐振腔内导体和谐振腔外导体之间的谐振腔中与射频输出同轴馈线相对应的位置上,用于对射频功率输出进行调配;输出耦合电容谐装置的一端与输出耦合电容连接,并穿过射频输出同轴馈线的内部,使其另一端暴露于谐振腔外导体外,用于调节输出耦合电容的大小;射频输出同轴馈线设置于谐振腔外导体上,用于进行射频功率输出。

优选地,谐振腔内导体为正方形框架结构、或同轴结构。

优选地,谐振腔外导体为正方形框架结构。

优选地,谐振腔采用3/4λ腔体结构形式。

优选地,谐振腔内导体上设置有可打开的窗口,用于安装或取出电子管放大器。

优选地,谐振腔短路腔板采用簧片滑板结构与谐振腔内导体和谐振腔外导体连接。

优选地,射频输出同轴馈线在70MHz至110MHz频率范围之内,进行250KW的射频功率输出。

本发明有益效果如下:

通过对输出回路进行调谐调配,均采用同轴短路腔的形式,通过改变短路腔的长度腔体调谐,解决了现有技术中不能满足大于70MHz频率以上的射频输出功率的要求的问题,能够覆盖70~110MHz频率范围,解决射频大功率输出及70~110MHz较高频率环节的瓶颈,对射频功率调谐耦合输出得以顺利的实现,起到了决定性的作用。此外,本发明实施例的技术方案很好地解决了输出功率最大100~250kW(连续波及脉冲双模式),工作频率在70~110MHz射频功率放大输出,为核聚变微波加热设备、重粒子加速器、辐照加速器等设备的粒子加速提供了必要的条件。

附图说明

图1是本发明实施例的射频宽带高功率电子管放大器3/4λ波长输出谐振腔的结构示意图;

图2是本发明实施例的250kW腔体结构实物部件的示意图;

图3是本发明实施例的射频谐振输出腔的电路示意图;

图4是本发明实施例的射频输出腔计算等效电路示意图;

图5是本发明实施例的250kW腔放实际工作状态采集截图。

具体实施方式

为了解决现有技术中不能满足大于70MHz频率以上的射频输出功率的要求的问题,本发明提供了一种射频宽带高功率电子管放大器3/4λ波长输出谐振腔,本发明实施例的射频宽带高功率电子管放大器3/4λ波长输出谐振腔是为高功率金属陶瓷电子四极管放大器输出回路使用设计的,用于功率调谐调配,电子管放大器输出回路,要求在70MHz至110MHz频率范围内,输出250kW射频连续波功率,现有技术中没有足够功率容量的集中参数真空电容来实现上述耦合,所以对输出回路进行调谐调配,均采用同轴短路腔的形式,通过改变短路腔的长度腔体调谐。可以覆盖70~110MHz频率范围。根据本发明实施例的射频宽带高功率电子管放大器3/4λ波长输出谐振腔包括有可调节谐振内导体、外导体,射频输出同轴馈线等。3/4λ波长输出谐振腔的内导体为正方形或同轴结构,外导体为正方形结构;所述的内导体通过同轴薄膜隔直电容与电子管阳极相连接,用于射频功率传输。

以下结合附图以及实施例,对本发明进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明,并不限定本发明。

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