[发明专利]放射线检测装置和包括该放射线检测装置的检测系统

说明书

技术领域

本发明涉及一种应用于医学图像诊断装置、非破坏性检查装置、使用放射线的分析装置等的放射线检测装置和检测系统。

背景技术

在包括像素的阵列（像素阵列）的检测装置的制造中利用用于制造薄膜半导体的技术。特别是，在放射线检测装置中，诸如薄膜晶体管（TFT）的开关元件和诸如光电转换元件的转换元件组合在一起。在相关技术中，已知的是，例如，其上以150至200μm的间距按阵列布置像素的大小为43×43cm的基板用于制造放射线检测装置。在常规的放射线检测装置中，驱动电路通过驱动线以行为单位驱动像素阵列，读取电路通过信号线将来自被以行为单位驱动的像素阵列的彼此并行的信号输出作为串行信号。驱动电路和读取电路通常在由单晶硅构成的集成电路中被制备，并且随后使用玻璃上芯片（chip-on-glass）（CoG）技术被安装到基板上，以构造检测装置。

在这样的检测装置中，目前，期望在相关技术中的基板的大小保持相同的同时像素的间距较小。更具体地讲，期待具有50至80μm的间距的像素阵列。因此，将难以使用玻璃上芯片技术将在由单晶硅构成的集成电路中制备的驱动电路安装在其上设置有像素阵列的基板上。除了减小像素间距之外，还期待面板上系统（system-on-panel）技术，在该面板上系统技术中，使用TFT工艺将驱动电路等作为一个单元在基板上整体地形成，以便减少所使用的组件的数量并且增大像素阵列所占据的基板的面积。

另一方面，在使用TFT的液晶显示装置中，正在开发面板上系统技术，在该面板上系统技术中，使用TFT工艺将驱动电路等作为一个单元形成在基板上。J.H.Oh等人在2005年的Proceedings of Soc.Info.Disp.的第942-945页、标题为“2.0inch a-Si:H TFT-LCD with low noise integrated gate driver”的文章中公开了一种驱动电路，在该驱动电路中，使用TFT工艺将多级单元电路作为一个单元形成在基板上，并且以像素行为单位、同时与驱动线对应地制备该多级单元电路。每个单元电路包括输出单元、第一输入单元、第二输入单元、第三输入单元和第四输入单元。这里，第一输入单元是开始信号或前一级单元电路的输出信号输入到其中的部分，输出单元是与驱动线连接以将开关元件的输出信号（包括导通电压和非导通电压）供给驱动线的部分。第二输入单元是时钟信号输入到其中的部分，第三输入单元是开关元件的非导通电压输入到其中的部分，第四输入单元是重置信号或下一级单元电路的输出信号输入到其中的部分。每个单元电路还包括第一电容器、第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，第一电容器的一端与输出单元连接，第一薄膜晶体管连接在第一输入单元与第一电容器的另一端之间，与第一电容器串联，第二薄膜晶体管设置在第二输入单元与输出单元之间。第一薄膜晶体管的源极和漏极中任一个以及栅极与第一输入单元连接，第一薄膜晶体管的源极和漏极中的另一个在第一节点P处与第一电容器的该另一端连接。第二薄膜晶体管的栅极与第一节点P连接，第二薄膜晶体管的源极或漏极与第二输入单元连接，第二薄膜晶体管的源极和漏极中的另一个与输出单元连接。每个单元电路还包括第三薄膜晶体管和第四薄膜晶体管，第三薄膜晶体管连接在第三输入单元与第一电容器的该另一端之间，与第一电容器串联，第四薄膜晶体管设置在第三输入单元与输出单元之间。第三薄膜晶体管的栅极与第二节点Q连接，第三薄膜晶体管的源极或漏极与第三输入单元连接，第三薄膜晶体管的源极和漏极中的另一个在第一节点P处与第一电容器的该另一端连接。第四薄膜晶体管的栅极与第二节点Q连接，第四薄膜晶体管的源极或漏极与第三输入单元连接，第四薄膜晶体管的源极和漏极中的另一个与输出单元连接。每个单元电路还包括设置在第三输入单元与第四薄膜晶体管的栅极之间的第二电容器。