[发明专利]一种高B值负温度系数热敏电阻材料的制备方法有效
申请号: | 201210250492.0 | 申请日: | 2012-07-19 |
公开(公告)号: | CN102731108A | 公开(公告)日: | 2012-10-17 |
发明(设计)人: | 康雪雅;张璐;窦俊青;韩英 | 申请(专利权)人: | 中国科学院新疆理化技术研究所 |
主分类号: | C04B35/622 | 分类号: | C04B35/622;C04B35/10;H01C7/04 |
代理公司: | 乌鲁木齐中科新兴专利事务所 65106 | 代理人: | 张莉 |
地址: | 830011 新疆维吾尔*** | 国省代码: | 新疆;65 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 温度 系数 热敏电阻 材料 制备 方法 | ||
1.一种高B值负温度系数热敏电阻材料的制备方法,其特征在于按下列步骤进行:
a、以分析纯AlN、SiO2和Al2O3为原料,置于球磨罐或搅拌容器中,然后加入研磨小球和分散介质为无水乙醇或丙酮,或直接加入分散介质无水乙醇或丙酮,其中原料的按摩尔比为0.82-1.8∶0.68-0.76∶1;
b、将步骤a中的原料以50-450r/min的转速球磨或搅拌,时间5-24h,并在温度50-120℃下烘干,得到粉末;
c、将步骤b中得到的粉末充分研磨后,压成块体,在惰性气体保护的气氛炉中进行高温热处理;
d、然后自然冷却随炉降温至室温,即得到最终产物高B值负温度系数热敏电阻材料。
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于步骤a中所述研磨小球、分散介质和原料的质量比为2-8∶1-6∶1或分散介质与原料的质量比为3-6∶1。
3.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于步骤a中所述研磨小球为玛瑙球或锆石球。
4.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于步骤c中所述粉体压块压力范围在10-30kgf/cm2之间,惰性保护气体为99.99%纯度的氮气或氩气。
5.根据权利要求4所述的制备方法,其特征在于步骤c中所述高温热处理条件为:气流速度为0.2-0.6L/min,以温度5-10℃/min加热速率升温;温度500-650℃下预烧5-10h;温度950-1050℃下恒温焙烧2-4h;温度400-700℃下退火4-12h。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院新疆理化技术研究所,未经中国科学院新疆理化技术研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210250492.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。