[发明专利]发光控制电路、发光控制方法和移位寄存器

权利要求书

1.一种发光控制电路，用于产生在AMOLED中控制OLED发光的发光控制信号，其特征在于，所述发光控制信号与栅极驱动信号反相；

所述发光控制电路包括输入端、输入采样单元、输出单元、复位单元、输出拉低单元和发光控制信号输出端，其中，

所述输出拉低单元与所述发光控制信号输出端连接；

所述输入采样单元，分别与所述输入端、第一时钟信号输入端和所述输出拉低单元连接，用于在第一时钟信号的控制下对输入信号进行采样，并将采样得到的信号通过所述输出拉低单元传送至所述发光控制信号输出端；

所述输出单元，分别与所述输入采样单元、第二时钟信号输入端和所述发光控制信号输出端连接，用于在所述输入采样单元对输入信号进行采样后，在第二时钟信号的控制下产生发光控制信号，并将该发光控制信号传送至所述发光控制信号输出端；

所述复位单元，分别与第三时钟信号输入端和所述输出拉低单元连接，用于在第三时钟信号的控制下向所述输出拉低单元发出复位控制信号；

所述输出拉低单元，用于根据该复位控制信号对所述发光控制信号进行复位。

2.如权利要求1所述的发光控制电路，其特征在于，

所述输入采样单元包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管；

第一薄膜晶体管，栅极与第一时钟信号输入端连接，源极与所述输出单元连接，漏极与所述输入端连接；

第二薄膜晶体管，栅极与第一时钟信号输入端连接，源极与输出单元连接，漏极与驱动电源的低电平输出端连接。

3.如权利要求2所述的发光控制电路，其特征在于，

所述输出单元包括第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、第六薄膜晶体管、第七薄膜晶体管、第一电容和第二电容；

第三薄膜晶体管，栅极与第一薄膜晶体管的源极连接，源极与第四薄膜晶体管的栅极连接，漏极与第二时钟信号输入端连接；

第四薄膜晶体管，栅极与第三薄膜晶体管的源极连接，源极与第六薄膜晶体管的栅极连接，漏极与驱动电源的低电平输出端连接；

第五薄膜晶体管，栅极与第二时钟信号输入端连接，源极与驱动电源的高电平输出端连接，漏极与第二薄膜晶体管的源极连接；

第六薄膜晶体管，源极与驱动电源的高电平输出端连接，漏极与第十二薄膜晶体管的源极连接；

第七薄膜晶体管，栅极与第二时钟信号输入端连接，源极与驱动电源的高电平输出端连接，漏极与第十三薄膜晶体管的源极连接；

第一电容，连接于第三薄膜晶体管的栅极与源极之间；

第二电容，连接于第六薄膜晶体管的栅极和驱动电源的低电平输出端之间。

4.如权利要求3所述的发光控制电路，其特征在于，

所述复位单元包括第八薄膜晶体管和第九薄膜晶体管；

第八薄膜晶体管，栅极与第三时钟信号输入端连接，源极与驱动电源的高电平输出端连接，漏极与第一薄膜晶体管的源极连接；

第九薄膜晶体管，栅极与第三时钟信号输入端连接，源极与第二薄膜晶体管的源极连接，漏极与驱动电源的低电平输出端连接。

5.如权利要求4所述的发光控制电路，其特征在于，

所述输出拉低单元包括第十薄膜晶体管、第十一薄膜晶体管、第十二薄膜晶体管、第十三薄膜晶体管、第三电容、第四电容、第五电容和第六电容；

第十薄膜晶体管，栅极与第十一薄膜晶体管的栅极练级，源极与驱动电源的高电平输出端连接，漏极与第三薄膜晶体管的源极连接；

第十一薄膜晶体管，源极与驱动电源的高电平输出端连接，漏极与第四薄膜晶体管的源极连接；

第十二薄膜晶体管，栅极与第二薄膜晶体管的源极连接，源极与第六薄膜晶体管的漏极连接，漏极与驱动电源的低电平输出端连接；

第十三薄膜晶体管，栅极与第十薄膜晶体管的栅极连接，源极与发光控制信号输出端连接，漏极与驱动电源的低电平输出端连接；

第三电容，连接于第十二薄膜晶体管的栅极和源极之间；

第四电容，连接于第十三薄膜晶体管的栅极和源极之间；

第五电容，连接于第十薄膜晶体管的栅极与驱动电源的低电平输出端之间；

第六电容，连接于发光控制信号输出端与驱动电源的低电平输出端之间。