[发明专利]一种Bi0.5Na0.5TiO3基三元体系无铅压电陶瓷及制备有效

专利信息
申请号: 201210243618.1 申请日: 2012-07-13
公开(公告)号: CN102757220A 公开(公告)日: 2012-10-31
发明(设计)人: 朱满康;段成辉;侯育冬;刘晶冰;王如志;汪浩;严辉 申请(专利权)人: 北京工业大学
主分类号: C04B35/475 分类号: C04B35/475;C04B35/622
代理公司: 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 代理人: 张慧
地址: 100124 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 bi sub 0.5 na tio 三元 体系 压电 陶瓷 制备
【说明书】:

技术领域

发明属于钙钛矿结构压电陶瓷领域,涉及一类新型的多元Bi0.5Na0.5TiO3基无铅压电陶瓷材料,具体是xBi0.5Na0.5TiO3-yBaTiO3–zBiZn0.5Ti0.5O3系无铅压电陶瓷及其制备方法。

背景技术

压电陶瓷是一种用途广泛的功能材料,用它制作的压电滤波器、微位移器、驱动器和传感器等,被广泛应用于卫星广播、电子设备、生物以及航空航天等高新技术领域。然而,目前应用最广泛、最成熟的压电陶瓷是钙钛矿结构的锆钛酸铅(PbZrxTi1-xO3,简写为PZT)基陶瓷材料中氧化铅约占原料总重量的70%左右。由于氧化铅有毒、高温下易挥发,这类材料在制备、使用及废弃后处理过程中都会给环境和人的健康带来损害。随着人类社会可持续发展战略的实施和公众环境保护意识的增强,无铅压电陶瓷已成为高技术新材料的研发热点。无铅压电陶瓷材料主要有钙钛矿、钨青铜和铋层状三种晶体结构类型。其中,研究最多的是钙钛矿结构的Na0.5Bi0.5TiO3(简称为BNT)基压电陶瓷体系。

BNT是1960年由Smolenskii等人发现的一种A位复合钙钛矿型驰豫铁电体,室温时属三方铁电相。BNT陶瓷具有较强的压电性,机电耦合系数各向异性较大(kt约50%,kp约13%),居里温度较高(320°C),而且烧结温度低(<1200°C),所以成为一种很有希望的无铅压电材料。但其矫顽场大(73kV·cm-1)及电导率高而难以极化。这些问题阻碍了纯BNT陶瓷的实用化。因此通过与其它化合物固溶形成多元固溶体系成为了改善BNT陶瓷性能的有效手段。

BiZn0.5Ti0.5O3(BZT)是一种新型B位复合钙钛矿结构铁电体。理论计算和实验表明,该化合物具有大的四方度(c/a=1.21),剩余极化可达150μC·cm-2。BZT加入到BNT时,当加入量为3.75mol.%时可形成准同型相界。但BNT-BZT二元体系在BZT加入量为5.0mol.%时就易出现第二相,影响了陶瓷的铁电和压电性能。BaTiO3是一种具有高稳定性的钙钛矿,能和许多钙钛矿形成固溶体系,提高固溶体的钙钛矿稳定性。因此,在BNT加引入适量的BaTiO3,可以提高复合体系的钙钛矿稳定性,提高BZT的最大加入量,避免第二相的形成,改善多元体系陶瓷的电学性能。

发明内容

本发明的目的是提供一种新型BNT基多元无铅压电陶瓷体系,可以提高复合体系的钙钛矿稳定性,提高BZT的最大加入量,避免第二相的形成,改善多元体系陶瓷的电学性能。

本发明的一种Bi0.5Na0.5TiO3基三元体系无铅压电陶瓷,其特征在于,陶瓷材料的组成为xBi0.5Na0.5TiO3-yBaTiO3–zBiZn0.5Ti0.5O3,可用x BNT-y BT-zBZT表示(BNT为Bi0.5Na0.5TiO3,BT为BaTiO3,BZT为BiZn0.5Ti0.5O3),其中x、y、z为被包含在用BNT、BT和BZT三元组成图的各组成点A、B、C、D连线所包围的区域内的BNT、BT和BZT的摩尔含量数,x、y、z包括点A和D之间的线段上的摩尔含量数,也包括点B和C之间的线段上的摩尔含量数,但不包括点A和B之间线段上的摩尔含量数,也不包括点C和D之间线段上的摩尔含量数,并且x、y、z也不属于A、B、C、D四个点上的摩尔含量数,其中A为(0.95,0,0.05),B为(0.97,0,0.03),C为(0.98,0.02,0)和D为(0.93,0.07,0)。

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