[发明专利]集成电路

说明书

本申请要求2011年10月28日提出的日本专利申请2011-237888号的优先权权益，并将该日本专利申请的全部内容引入本申请中。

技术领域

本发明一般涉及集成电路。

背景技术

作为防止由静电导致的集成电路的静电破坏的方法，有时设置用于使浪涌电流迂回的保护元件。此时，即使使浪涌电流迂回到保护元件，若在集成电路中存在浪涌电流流动的路径，则集成电路有时也会被静电破坏。

发明内容

本发明要解决的问题是：提供一种可提高对于静电破坏的耐性的集成电路。

实施方式的集成电路，其特征在于，具备：放大晶体管，其使输入信号放大；偏置电路，其设定偏置电压以使所述放大晶体管可进行放大；静电保护电路，其根据在所述放大晶体管施加的电压来设定所述放大晶体管的偏置电压以使所述放大晶体管截止；和切换电路，其根据电源的供给状态来切换所述放大晶体管的偏置电压。

另一实施方式的集成电路，其特征在于，具备：第一放大晶体管，其使所述输入信号放大；第二放大晶体管，其与所述第一放大晶体管串联连接；偏置电路，其根据偏置晶体管（bias transistor）的电流镜动作来设定偏置电压以使所述第一及第二放大晶体管可进行放大；第一开关晶体管，其使所述第一放大晶体管的栅极和源极之间导通/截止；第二开关晶体管，其使所述第二放大晶体管的栅极和源极之间导通/截止；第三开关晶体管，其使所述偏置晶体管的栅极和源极之间导通/截止；第一电阻，其检测在所述偏置电路的电源施加的电压；第一变换器（inverter），其根据经所述第一电阻而被检测出的电压来驱动所述第一、第二及第三开关晶体管的栅极以使所述第一、第二及第三开关晶体管导通；和切换电路，其根据电源的供给状态来经所述第一变换器驱动所述第一、第二及第三开关晶体管的栅极以使所述第一、第二及第三开关晶体管截止。

根据上述构成的集成电路，可提高对静电破坏的耐性。

附图说明

图1是表示第一实施方式涉及的集成电路的概要构成的电路图。

图2是表示图1的放大电路1和外设部件12、13的连接方法的电路图。

图3是表示第二实施方式涉及的集成电路的概要构成的电路图。

图4是表示第三实施方式涉及的集成电路的概要构成的电路图。

具体实施方式

根据实施方式的集成电路，设有放大晶体管、偏置电路、静电保护电路和切换电路。放大晶体管使输入信号放大。偏置电路设定偏置电压以使上述放大晶体管可进行放大。静电保护电路根据在上述放大晶体管施加的电压来设定上述放大晶体管的偏置电压以使上述放大晶体管截止。切换电路根据电源的供给状态来切换上述放大晶体管的偏置电压。

下面参照附图来说明实施方式涉及的集成电路。再有，本发明不限于这些实施方式。

（第一实施方式）

图1是表示第一实施方式涉及的集成电路的概要构成的电路图。

在图1中，在该集成电路中，设有放大电路1、静电保护电路2、切换电路3及偏置电路4。此外，在该集成电路中，设有二极管D1~D8来作为静电保护元件。

放大电路1可将输入信号放大。这里，在放大电路1中，设有放大晶体管M1、M2、电阻R1、R2、电感器L1及电容器C1、C2。再有，放大晶体管M1、M2可使用例如N沟道场效应晶体管。

而且，放大晶体管M1、M2互相串联连接。再有，放大晶体管M1的源极经电感器L1与接地端子GND_LNA连接。在放大晶体管M1的栅极和源极之间连接有电容器C1。放大晶体管M1的栅极连接电阻R1，经电阻R1被施加偏置电压BA1。此外，放大晶体管M1的栅极连接输入端子LNA_IN，经输入端子LNA_IN被输入输入信号。

放大晶体管M2的漏极与输出端子LNA_OUT连接。在放大晶体管M2的栅极和接地端子GND_LAN之间连接有电容器C2。放大晶体管M2的栅极连接电阻R2，经电阻R2被施加偏置电压BA2。

偏置电路4可设定偏置电压BA1、BA2以使放大晶体管M1、M2可进行放大。这里，经电源端子VDD_LNA向偏置电路4供给电源电压。而且，用偏置电路4生成偏置电压BA1、BA2。再有，经电阻R1向放大晶体管M1的栅极施加偏置电压BA1，且经电阻R2向放大晶体管M2的栅极施加偏置电压BA2。