[发明专利]玻璃状基质中的高密度丝线阵列的制造方法无效
| 申请号： | 201210230090.4 | 申请日： | 2006-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN102820419A | 公开（公告）日： | 2012-12-12 |
| 发明（设计）人： | B·杜塔 | 申请（专利权）人： | ZT3技术公司 |
| 主分类号： | H01L35/16 | 分类号： | H01L35/16;H01L35/26 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 赵蓉民 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 玻璃状 基质 中的 高密度 丝线 阵列 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.用在热电器件中的复合纤维，其包括：
电绝缘玻璃基质材料；
嵌入所述绝缘玻璃基质材料中的众多纤维；
其中所述众多纤维中的每个纤维包含热电材料；并且其中所述复合纤维的ZT因数是至少1.5。
2.如权利要求1所述的用在热电器件中的复合纤维，其中在一些纤维但不是所有纤维之间存在电连通性。
3.如权利要求1所述的用在热电器件中的复合纤维，其中所述绝缘玻璃基质材料包括两元、三元或更高成分的玻璃结构。
4.如权利要求1所述的用在热电器件中的复合纤维，其中所述纤维用纤维拉丝塔自动拉伸或手动拉伸。
5.如权利要求1所述的用在热电器件中的复合纤维，其中每个纤维具有1纳米到500纳米之间的直径。
6.如权利要求1所述的用在热电器件中的复合纤维，其中每个纤维具有2微米到2英尺之间的长度。
7.如权利要求1所述的用在热电器件中的复合纤维，其中所述热电材料选自：PbTe；Bi2Te3；SiGe；和ZnSb。
8.如权利要求1所述的用在热电器件中的复合纤维，其中所述热电器件的所述ZT因数是至少2.5。
9.热电器件，其包括：
电绝缘玻璃基质材料；
众多纤维，所述众多纤维沿着其长度用所述绝缘玻璃基质材料进行包覆；
其中所述众多纤维中的每一纤维包含PbTe热电材料；并且其中复合纤维的ZT因数是至少1.5。
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